Apresentação Diodo PIN

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  • O nome dado devido existncia de uma camada I (intrnseca silcio sem dopagem) entre as camadas P e N;

    As regies do tipo P e N sofrem uma forte dopagem, buracos e eltrons so criados na regio intrnseca;

    Dependendo da polarizao, o Diodo PIN tem diferentes comportamentos.

    Alta frequncia equivalente ao Diodo de Juno PN e baixa frequncia a resistncia varia com a corrente.

  • Opera sob o que conhecido como injeo de alto nvel;

    A regio intrnseca inundada por portadores de carga P e N;

    Atingindo o ponto de equilbrio na regio intrnseca ir conduzir corrente;

    Campo eltrico formado na regio I devido a alta injeo de eltrons ajudando na acelerao e transporte de portadores de carga (P e N).

  • Frequncia alta comporta-se como um resistor quase perfeito;

    Frequncia baixa obedece a equao padro do diodo;

    A resistncia de alta frequncia inversamente proporcional corrente de polarizao DC;

    A vasta regio intrnseca tambm significa que o

    diodo ter uma capacitncia baixa quando polarizao reversa;

  • A regio de depleo existe quase completamente no interior da regio intrnseca;

    O aumento das dimenses da regio intrnseca

    permite que o diodo funcione como um resistor em frequncias mais baixas.

  • Retificador de alta tenso;

    Interruptores de RF;

    Fotodetectores;

  • A regio intrnseca proporciona uma maior separao entre as regies PN e N, permitindo maiores tenses inversas para ser tolerado.

    Retificador de alta tenso;

  • A camada intrnseca entre as regies N e P aumenta a distncia entre eles. Isto tambm diminui a capacitncia entre eles, aumentando assim o nvel de isolamento quando o diodo polarizado inversa.

    Interruptores de RF;

  • A converso de luz em corrente ocorre dentro da regio de depleo de um fotodiodo. Aumentando a regio de depleo pela adio da camada intrnseca melhora o desempenho.

    Por aumentar o volume ocorre converso de luz.

    Fotodetectores;

  • Diodo levemente dopado; Regies p e n tornam-se bem pequenas; rea intrnseca tende a ficar maior; Responde com comprimento de ondas

    menores

  • Fton incidente penetra entre as bandas de conduo e valncia;

    Fton excitar algum eltron da banda de valncia deslocando-o para banda de conduo;

    Este processo gera pares livres conhecidos como fotoportadores;

    Cria-se um campo eltrico na regio de depleo;

    Ocorre o fluxo de corrente no circuito.

  • Verificar o comportamento do circuito com fotodiodo em ambiente escuro, luz natural e iluminao forte.

    Utilizar uma lmpada para simulao das condies de luminosidade.

    Verificar as tenses no fotodiodo sob diferentes iluminaes.

    Pelas caractersticas do fotodiodo, quanto maior a incidncia de luz e luminosidade maior ser sua tenso.