Circuitos de Disparo

download Circuitos de Disparo

of 12

Transcript of Circuitos de Disparo

  • CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA DE POTENCIA

    d

    CIRCUITOS DE DISPARO

    PARA

    SEMICONDUCTORES

    8 .1 )ELEMENTOS BSICOS DE UN CIRCUITO DE DISPARO.-

    T1

    iG + L

    220 Vref vs vd

    R

    Vcc

    iG

    vs vsinc Circuito de

    disparo

    Tr

    vc

    Fig. 8.1.: Esquema bsico de un circuito de disparo.

  • CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA DE POTENCIA

    v

    2 V

    Tensin de sincronismo

    Generador de diente de sierra

    vds

    Comparador

    Multivibrador monoestable

    K Al Gate

    vc

    Fig. 8.2.: Diagrama en bloques de un circuito de disparo elemental.

    +Vcc

    - I

    + v vsinc 1

    Tr1

    C1

    -VB

    +Vcc

    R0 -

    II

    + 2

    +V

    cc

    +

    III

    -

    Multivibrador monoestable

    +Vcc

    v3

    v6

    a) Pulso de disparo

    vC

    v

    sinc:kv

    s

    0 0t

    =0

    v1

    0 0t v

    m vC

    b) 0 0t v

    3

    0 0t v6

    0 0t

    Fig. 8.3.: Circuito de disparo con amplificadores operacionales: a) circuito; b) formas de onda.

  • CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA DE POTENCIA

    2

    v

    8 .2 )CIRCUITOS DE DISPARO CON TRANSISTORES MONOJUNTURA.

    +Vcc

    vC 1

    vP

    C vC

    E

    B2

    B1

    R1

    t

    vG VBB vG

    t

    1 2

    Fig. 8.4.: Oscilador de relajacin con transistor monojuntura.

    R3

    D1

    Carga

    R

    R2 a)

    Tr1

    + V

    Z S

    C v

    G

    vS vS

    vZ

    vp=0VBB

    b) vG

    Fig. 8.5.: Circuito de control con transistor monojuntura.

  • CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA DE POTENCIA

    8 .3 )CIRCUITOS DE DISPARO AISLADOS PARA SCR.

    A

    D1

    15 V G

    D2 K

    RG

    Seal TG de

    pulso

    Fig. 8.6.: Uso de transformador de pulso para aislar SCR.

    1 2

    Lnea

    3 4

    Fuente de poder para el circuito de disparo del Gate

    Deteccin de cruce por cero

    Trafos de

    pulsos

    vcontrol Retardo

    del ngulo

    Amplificador

    de pulsos

    Tierra del control

    Fig. 8.7.: Diagrama general del circuito de disparo para un rectificador monofsico.

  • CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA DE POTENCIA

    8 .4 )CIRCUITOS DE DISPARO INTEGRADOS

    PARA TIRISTORES.

    Sincronizacin

    Fuente

    Us +

    Detector de cruce por

    cero -

    5

    + 16

    C 10 monitor de

    -

    sincronismo

    14 Q1 15 Q2

    Tierra 1

    3.1 Vac

    Iconst

    +

    Transistor de

    descarga

    Control del

    - comparador

    +

    Lgica

    R4

    2 Q2 R2

    3 QU

    R3 7 QZ

    R7

    +

    + a) +

    8 9 10 11 6 13 12

    Uref U 10

    Resistencia de la rampa

    Condensador de la rampa

    C8 R9 C10 [R R] [ CR]

    U 11 S6 S13 C12 [ Ci] Seleccin del largo del pulso para Q1 y Q 2 Seleccin del largo del pulso para Q1 y Q2 Inhibidor del pulso

    Voltaje de control

    b)

    Fig. 8.8.: Circuito de disparo integrado TCA 785: a) diagrama de bloques; b) formas de onda.

  • CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA DE POTENCIA

    Fig. 8.9.: Control de un tiristor en el circuito TCA 785.

    Fig. 8.10.: Circuito de control de fase de un convertidor AC-AC monofsico.

  • CAPiTUL08 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRONICA INDUSTRIAL Pag. 96

    5 /ii= I

    15 l.:_,lll ) I

    1

    7

    8

    :y J

    3 14

    R S T 380V3ac

    .1/)..- Trans-

    former

    - ---------- -----------------------------------------------M p---- + 15-v-------,

    3 X 220kQ

    ,--------------------------- ------ 16 I

    0.47 2.2,uF 13 T [ i iJF C;u1 nF :;= C 12Q I

    II Ill 2.2kQ 12 A ..1-eN+-40--10>-1-:-'I1c.:...5G

    ! cRII4-f5 7 1N 4oo1l 11rv g2. kQ RR . ;;." 22 kQ 9 8 BAW 76 IT._l -+-+11=5-:-:-K-----------, kQ 8

    7 t----+--{ =k:::rQ---- -16 BSS 97 I

    -+-++-+--r-- --r-15 4

    I I I Th 1

    ...,04

    ;Y61L\17 =? 3 14 I I o.l 2 I I +---+---..... .IJ_F1 I I L

    ------------ -------------------------------J, : I I 0.47 2.2}.JF 13 T ,, I I .uF C;n1 nF =;- 12 C 12 Q 1N 4001 I I II II 2 2 kQ A ...;.:,--_,_,11""-5

    I CRn47nF 1N4001L 11/l'w Q2. kQ II RR .;;. 2,1.W .. ,o---:... ----------i-1 +--"illlllll!lll--c:::J-- --1 8 BAW 76 IT 2 115 K

    1 ;._:;;oo kQ 5

    I 7 15 t 1 rG I 1,Q!f,l BSS97 I 6

    5 1 I I 4 I I 61L\ ==o.1 3 14 I I .uF 2 I

    Th 3 ...,06

    R6 C6

    L_ -- ------- -=-===--- j

    1 1 I

    -- - ------------- --------------, Oi-thy block assembly BSt 3L61 3K28 KK32 I I 1 0.47 2.2,uF.__ 13 T ( I I iJF C;nl nF == 12 C 12 Q 1N 4001 I I II 2,1.lQ A r-J J 15 G

    p 1j4 7kQ I cR ..47'n'F 11

    1N 4001L .III'VI g22I kQ

    I 47oQ 2.7kQ

    I R J::." 22kQ : OOkQ

    I 1

    10 7 7 15H-ICJ-'

    +------- -----..-;-'=c-:-----+o IT3 !15K

    0 6 4.7kQ .._ BSS 97 1

    I I I 2 X \17 :'- I I BAy 61 L '0.1 I I iJF 2 I I 1 I L ---- ---'="==---------------J

    Th 5

    26 kW

    ...,02

    Fig. 8.11.: Circuito de disparo para un rectificador trifasico semicontrolado.

  • CAPiTUL08 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRONICA INDUSTRIAL Pag. 97

    4.7kO ss lr,'N 4001 11 II I

    1 I

    ill + 15

    n

    >f-_.,__:1

    12

    RR

    l

    R S T 380V3ac

    M)..- Trans-

    former Mp - ---------- -----------------------------------------------4----

    v ---------., 3 X 220k0

    ---- -----------------------------,

    ------ IT,,.1,ri *4_0 01 1 14 G ---- --------r+,_--, 0.47 2.2JJF 13 T ,r1 I'" 22 ko JJF, C;,1 nF == 12 C 6.20L 6.20I._I y I 14 K ------+-.--------r+---t-.

    II "2.2k0 A " 114G' I CRn4-;; 11 1N4001L '111N4001 II I RR II 10 7 II 14 K' :1 0 98 I 7 15

    x;:: l 1 ,: , 1 l I!'"" IT 2 1 4001 l15 G

    ---+H--++-----,

    ;;;,,;;.-& - ,_--!..!.>

    I 1,Q!E 6 4.7 k0sss 97 ' 'Ill"' rl2.kO I 1N 400_ Ill y 115 K I 5 '( 115G'

    I 4 14 I: I I lliN4001 II I :Y61L;:. 4.7kO s'ss97 II 115K' I }JF I 1 I

    I Th 1 Th 4

    L_ -- -------------------- ! ,--- ---------------------------:--,

    ., -+- ,.. . IT,,r.1 .-f: ) 4 001 14 G++--H-+++-++-------++---. 0.47 2.2JJF 13 T 1 r\ II'V n2. kO !J1 C; 111 nF C 6.20 l,J6.201I._I Y I 14 K.__

    II II 2.2k0 A " 114G' I CRn47nF 11 1N4001L '111'1N40011 I RR I 22k0 10 7 Ill 114 K'

    8 1 / .. .7ioo kO I

    5 I : I IT 2 4001 l15 G

    l - 10=k::rO---- ---I- 15 4.7 kO BSS 97 - t-.l.-ioi''li.l.rvl :::>l--.,_...,n2.Z:-'-'k'-'0'----+t-t+-1++-+-t---. '------+--t-+---+--t------.----.---+--1 5 BAw 7 6 1 N 4001 Ill y 115 K

    I " 115G' 1 Th 3 Th 6 2 \tl 14 1 ffi B;Y61LP,. 1'- =o.1 2

    .,_ .. . .JJ_F-11

    ---- ---------===--------------_j r- -- ----------- ----------------;- 4 001

    15 K' 3

    3 x THYODUL MTI 40A 12 N

    +-----------.,----1 IT,_.1.-t "i-_ ---'1 14-"G++-H---t++-++--------+---. 0.47 2.2 JJF13 T Ia II'" n2.2 kO JJF,. C; 111 nF C 62 0 2011 Y 1 14 K

    p 1 II II 2.2 kO 12 A ---,...--+---1-"'14-'-'G+'-+-1----++-+++----------t--, 11 4.r7llkii0-::-ifii4--7C0:0:H--'--t--+-:---=-"-JCPR-I':I-4:7:!-n'-F-:::-1----110 7 1 N 4001L.:. '111''1'N 4001 1I 14 K' l ! 11 .1:.. 22k0 8

    2.7 kO f---.Ji'oo kO 9 I 5l lffi ioiiT,ii2rl1*N_40 0 1 15 G ----+++----,

    '----+--!::1 =k0}----t-----16 4.7k0ssS97 n .l. 'Ill'" 02.'2ko 5 1N 4001 _.1-----+---:;'-" ;'-" '-.

    1 I BAY61 L.:,. "" = .1 2 4.7kO ss II I J,

    I 2x ' \7 14 1 : I 1 II','N 4001 115 K' t-+ I"T""'hf-5-- T.;.;;h'i2-t

    I JJF

    1 R 5 C 5 R 2 C 2

    I ..2.... L

    ITl. IT2 trigger transformer: ZKB 418/080-02-PF from Messrs. VAC

    I +Ud -ud j

    Fig. 8.12.: Circuito de disparo con doble pulso para un rectificador trifasico puente totalmente controlado.

  • CAPTULO 8 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg. 98

    8 .5 )CIRCUITOS DE DISPARO PARA TRANSISTORES DE POTENCIA.

    VGG

    + Del circuito de control

    -

    Comparador

    G

    E

    VGG

    Del circuito de control

    IC RG

    DS0026 o UC1706/07

    Fig. 8.13.: Amplificacin de la corriente por el gate.

    +15 V

    3 k RG

    Del circuito de control

    OF

    100pF

    Optoacoplador (HPL-4503)

    IXLD4425

    Fig. 8.14.: Circuito de disparo con aislacin galvnica mediante acoplador ptico.

  • CAPTULO 8 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg. 99

    S

    +

    Aislacin auxiliar de poder para

    circuitos de control base

    Diodos antisaturacin y/o

    conexiones de proteccin de sobrecorriente

    + + v Vd

    - -

    Entradas de control

    Vcc

    Lgica y electrnica de control

    Aislacin de seal Aislacin de seal

    Circuito de control

    base

    Circuito de control

    base

    T Df+

    T- Df-

    Tierra de seguridad

    Fig. 8.15.: Sobre la necesidad de la aislacin de los pulsos de disparo.

    Mdulo

    +

    iL

    300 V

    L

    Circuito de vL disparo

    R

    -

    Fig.8.16.: Chopper de un cuadrante.

  • CAPTULO 8 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg. 100

    Fig.8.17: Encendido del transistor; a) VGE : 5V/div; b) VCE : 50V/div, tiempo: 500ns/div.

    Fig.8.18: Corte del transistor, VCE : 50V/div, tiempo: 100ns/div.

  • CAPTULO 8 CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

    ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg. 101

    Fig.8.19: Operacin a 100 kHz, VCE : 50 V/div, IC: 10 A/div, Tiempo: 2 s/div.

    Fig.8.20: Operacin a 100 kHz, IC: 10 A/div, Tiempo: 2 s/div.

    Fig.8.21: Cortocircuito en la carga, IC: 20 A/div, Tiempo: 2 s/div.