Etapas amplificadoras con FET 8...Autopolarización JFET R S R1 RD V DD R2 recta de carga estática...
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Etapas Etapas Etapas amplificadoras amplificadoras amplificadoras con FET con FET con FET FCEIA FCEIA FCEIA - - - UNR UNR UNR Prof. María Isabel Schiavon Electrónica I FET
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-
EtapasEtapasEtapasamplificadorasamplificadorasamplificadoras
con FETcon FETcon FET
FCEIA FCEIA FCEIA --- UNRUNRUNRProf. María Isabel Schiavon
Electrónica I
FET
-
recta de polarización
SDSG Riv −=
recta de carga estática
SD
DSD RR
vVi+−
=
2
1
−=
P
SGSSDD V
vIizona de corriente constanteo de saturación del canal
V
SD RRV+
iD
vDS
Autopolarización JFET
-
RSR1
R D
VDD
R2recta de carga estática
SD
DSDDD RR
vVi+−
=
recta de polarización
SDGGSG RiVv −=
GGV
21
1
RRRVV DDGG +
=2
1
−=
P
SGSSDD V
vIi
iD
vDS
Autopolarización con divisor de tensión JFET
-
Comparación
recta de carga estática
SD
DSDDD RR
vVi+−
=
SDGGSG RiVv −=
GGV
2
1
−=
P
SGSSDD V
vIi
iD
vDS
SDSG Riv −=
DI∆
DI∆
R S R 1
R D
V
R 2
R S R 1
R D
V
R 2
JFET
-
VT
iD
vDS
( ) ( )22 TSDTSGD VvKVvKi −=−≅RD
VDD
RF
MOSFET
-
N-MOS y P-MOS
MOSFET enriquecimiento
VGS>0
NMOS PMOS
VT>0 VT0
ID> 0
VGS< 0
VDS0
VDS>0
ID> 0
VGS< 0 ó VGS> 0
VDS
-
RSR1
R D
VDD
R2
RD
VDD
RF
fuente comúnpuerta comúndrenaje común
FET Polarizado
terminal de excitaciónterminal de salida
Terminal común
Etapas amplificadoras básicas
-
SC-DC-GC
RSR1
RD
VDD
R2
vivo
++
__
fuente
común dre
naje
común
RSR1
VDD
R2
vo+
_
vi+_
RSR1
RD
VDD
R2
vi
vo
+
+_
_
puerta
común
=i
ov v
vA
=i
oi i
iA
=iiiv
iz=
= 0ivo
oo i
vz
+vo--
ii io
+vi--
amplificador
-
SC-DC-GC
=i
ov v
vA =i
oi i
iA
=iiiv
iz == 0ivo
oo i
vz+vo--
ii io
+vi--
amplificador
+vo--
ii io
+vi--
+viAv
R
eszi
zo Rls
si
isi Rz
zev+
=
lo
livo Rz
RvAv+
=
lo
ivo
l
oo
RzvAi
Rvi
+=
−=
-
g d
rdsgmvgs
s
vgs
id
vds
λIVλ1
iv
DQ
DSQ
Vdds
dsQSG
r +==
( )
( )DSS
DPJm
SGPP
SSD
Qgsd
m
I
IVK2g
VVV
I2vig
QQ
QQ
−=
+−−
==
Si VP ≈- 5V IDSS =10mAλ< 0,05/V IDQ==1mA VDSQ=10V
Si VP ≈- 5V IDSS =10mAλ< 0,05/V IDQ==1mA VDSQ=10V
gmQ≈1,26mA/V
rds > 30KΩ
FET: modelo en pequeña señal
-
RSR1
RD
V
R2
vivo
++
__
fuente
común
Fuente común1
QQQ GSV,DSV,DIPunto de Trabajo
Superposición condicionada al punto de trabajo
modelo en señal
G D
rdsg
mvgs
S
vgs
id
RS
RG
+
_
vivo
RD
+
_
gsmds
dsd vg r
vi + = Ddo R = -iv
Sdigs Rivv −=
( )igsods vvvv −−=
-
G D
rdsg
mvgs
S
vgs
id
RS
RG
+
_
vivo
RD
+
_
RSR1
RD
V
R2
vivo+
+__
fuente
común
SmDm
io
v Rg1Rg
vvA
+−
≈=
Amplificador
Fuente común2
C S
≈− DRmg
RS=0
( )[ ]sdsD0eo
oo RrRi
vzs
+=≡=
//
GiFETi Rz//Rz ≈= G
D0eo
oo Ri
vzs
≈≡=
-
Drenaj
e
común
RSR1
VDD
R2
vo+
_
vi+_
1Rg1
RgvvA
SmSm
io
v
-
RSR1
RD
VDD
R2
vi
vo
+
+_
_
Dmio
v RgvvA ≈=
1mS
1mi gR//gz
−− ≈=
Do
oo Ri
vz0se
≈≡=
g
d
rdsgm vgs
svgs
id
RS
+
_vi
voRD
+
_
_
+RG
fuente de corriente o
carga activa
RG=R1//R2
RSR1
VDDR2
Io
( )Sm Rg1oroz +≈
puerta común
-
1<+
≈Sm
Smv Rg1
RgA
1mo gz−≈21Gi RRRz //==
dc
SmDm
io
v Rg1Rg
vvA
+−
≈=
D0eo
oo Ri
vzi
≈≡=
GiFETGi RzRz ≈= //
sc
fuente de corriente o
carga activa
RSR1
VDDR2
Io
( )Sm Rg1oroz +≈
adaptador de impedancia amplifica corriente
amplificador de tensión y
corriente
gc
resumen
