Circuitos Eletrnicos Lista de Exerccios Complementar

1)- Para o circuito abaixo e parmetros listados, determinar:

a) Condio de polarizao do transistor. Curva IDxVGS em anexo. b) Determine o ganho do circuito abaixo c) Mxima excurso permitida do sinal na sada ?

ID(mA)

01234567

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3VGS(V)

R1 =10 K RG1 = 405K RG2 = 810K RS = 1.4K RL = 5K

VCC = +2V

Cgd = 0 CL = 0 Cgs 0 VA=60V

C1

C2

VCC

RL

-VCC

vout

RS

~v in

R1

RG1

CL

RG2

2)- Considere o circuito da Figura 2 e parmetros listados. Transistores do mesmo tipo (NPN / PNP) possuem mesma densidade de corrente de saturao e reas normalizadas emissor/base conforme indicado.

|VAN| = |VAP| para Q1 - Q8 (Early)

a) Determinar R1 de modo que VX = -2V. b) Para o valor dimensionado de R1, qual o mximo valor de R2?

|VAN| = |VAP| = 40V para Q3 - Q8 e |VAN| para Q1 - Q2

c) Os valores de IQ4/IQ3 e IR2 d) Determine as resistncias de pequenos sinais rA e rB .

Figura 2

3) - Utilizando modelo re clssico, determinar numericamente para o circuito da Figura 3:

a) Ponto quiescente do transistor (ICQ, IBQ, VCEQ) b) Parmetros hbridos. c) Parmetros z. d) Parmetros y.

Adotar = 120, VBE = -0.7V e rce

~

vo

VCC = -20V

100

9.1 822.2

RinRout

io

vs

is

R3

R1 R2

R4

Figura 3

VCC

Q3 Q4

Q1 Q2

-VCC

R1

1X 1X

1X 1X

ra

rb

Iref

Q5

3XQ6 Q7

5X

5X

R2Vx

Q83X

rc

VCC = 2.5V IREF = 1mA R2 = 30K

VT = 25mV >> 1