Linhas de Pesquisa Desenvolvidas no LaFEA: …labfisica.yolasite.com/resources/Propaganda IC.pdf ·...

1

Prof Ana L F de Barros

Centro Federal de Educaccedilatildeo Tecnoloacutegica CEFET-RJ

Rio de Janeiro RJ Brazil

Linhas de Pesquisa Desenvolvidas no LaFEA Aspectos Experimentais e

Aplicaccedilotildees

2

bull Fiacutesica da Sonoluminescecircncia- LaFEA- CEFET

bull Processos de Deposiccedilatildeo de Filmes Finos de Nano-Compostos - UTD FEP e CEFET

bull Espectrometria de Massa por Tempo de Vocirco ndashTOF-MS Queenacutes University UFRJ e LNLS

bull Gelos Astrofiacutesicos Ecircnfase em gelo de aacutegua ndash PUC ndashFranccedila - Caen

Linhas de Pesquisa

3

Profa Ana Lucia F de Barros

Centro Federal de Educaccedilatildeo Tecnoloacutegica

Celso Suckow da Fonseca

Fiacutesica da Sonoluminescecircncia - 2009-2010

bullLeandro Santos (5ordm Eleacutetrica) 2010- atual

Seminaacuterio PPEL 160409 4

1 O que eacute a Sonoluminescecircncia

Sonoluminescecircncia de uma uacutenica bolha (SBSL) eacute um fenocircmeno ondeenergia sonora eacute convertida em luz

O efeito de SL ocorre com uma onda de som dentro de um Liacutequido(aacutegua aacutecidos bases etc)

A bolha gasosa sonoluminescente eacute um oscilador natildeo linearconcentrando uma grande energia sonora de tal forma a emitir foacutetons

Da esquerda para a direita apariccedilatildeo da bolha expansatildeo lenta raacutepida contraccedilatildeo e emissatildeo da luz

www wikipediaorg


Vaacuterios ramos da fiacutesica (mecfluidos acuacutestica termodinacircmicaestabilidade dinacircmica interaccedilatildeo radiaccedilatildeomateacuteria) e quiacutemica

Eacute um dos fenocircmenos mais natildeo lineares e de maior concentraccedilatildeo deenergia que se conhece

Aplicaccedilotildees em cataacutelise de reaccedilotildees quiacutemicas

2 Motivaccedilatildeo

PUTTERMAN Seth J Sonoluminescence Sound into Light Scientific American Fevereiro 1995

Interior da bolha

T ~ 104 K

Choques plasmas ionizaccedilatildeo radiaccedilatildeo Bremsstrahlung satildeo provaacuteveis de ocorrer durante o fenocircmeno

6

3 Aparato Experimental

Um Gerador de Funccedilotildees Senoidais

Um Amplificador de Potecircncia (40W ndash 120W)

Transdutores Piezo-Eleacutetricos (PZT)

Um Ressonador (ciliacutendrico ou esfeacuterico)

Um Circuito Eleacutetrico

Uma Foto-Multiplicadora (PMT)

7

Como obter o Fenocircmeno da Sonoluminescecircncia

8

Ressonador satildeo frascos dePyrex ou quartzo de 100 mL compescoccedilo pequeno

Transdutores dois discos PZTsde Ceracircmica de 19 cm dediacircmetro 03 cm de espessuraUm disco de 040 cm de diacircmetro014 cm de espessura

MicrofoneHidrofone eacute umpiezo no qual a pressatildeo acuacutesticaaplicada gera um sinal eleacutetrico

31 Os Ressonadores

9

34 O Sistema de Gases e Manipulaccedilatildeo de Aacutecidos

Bomba de vaacutecuo

Bastatildeo magneacutetico (misturar aacutegua + gases)Capela ppreparo dos aacutecidos

Deionizador

10

4 Criando e Aprisionando a Bolha

Filamento corrente de poucos ampegraveres

Desvantagem esquenta a aacutegua

Seringa Injetar ar diretamente

Desvantagem cria muito ar no sistema

Mantendo a Bolha Aprisionada

Fotomultiplicadora

11

5 Observando SBSL

Criaccedilatildeo da Bolha

Sistema de Ressonador Aberto

Manualmente usando uma seringa

Sinal Obtido

Microfone

Frequumlecircncia 2543 kHz

Sinal pico-a-pico ~ 380 mV

Foto Multiplicadora



A L de Barros T Kodama e B Lesche ldquoObservation of Single Buble Sonoluminscence Lightrdquo

XXI Encontro Nacional de Fiacutesica da Mateacuteria Condensada (1999)

12


Prof Ralph Schmittgens (Technische Universitaumlt Dresden)

Prof Dr Eberhard Schultheiszlig ndash Instituto de Eletrocircnica do Estado

Soacutelido (IFE) da Universidade Teacutecnica de Dresden (TUD) e Instituto

Fraunhofer de Tecnologia de Feixe de Eleacutetrons e de Plasma (FEP)



bullLucas Vignoli (IC- 5ordm mecacircnica)

bull Igor Fita (IC- 5ordm mecacircnica)

bull Rafael Ricardo (IC- 6ordm mecacircnica)

Deposiccedilatildeo de Filmes Finos ndash 2009- atual

13

Implementaccedilatildeo Praacutetica de Processos de Deposiccedilatildeo a Vaacutecuo

Especializaccedilatildeo para engenheiros dos cursos de poacutes graduaccedilatildeo ealunos de graduaccedilatildeo com ecircnfase em eletro-teacutecnica eletrocircnica etelecomunicaccedilotildees e de Engenharia Industrial de Controle eAutomaccedilatildeo

Promover a qualificaccedilatildeo de engenheiros Perspectiva de interaccedilatildeocom a induacutestria brasileira

Criaccedilatildeo de um centro de experimentos aplicados nos processos defilmes finos

Intercacircmbio entre o CEFETRJ o Fraunhofer Institute forElectron Beam and Plasma Technology e a Universidade Teacutecnica deDresden

14

Motivaccedilatildeo

Conceitos de Deposiccedilatildeo de nano-compostos

Fabricaccedilatildeo de Nano-partiacuteculas por Processos de Plasma

Domiacutenio das nano-tecnologias em microeletrocircnica (portotildees dieleacutetricos

dispositivos de memoacuteria) ou energia (ceacutelulas solares materiais termoeleacutetricos)

Importante para a elaboraccedilatildeo de produtos avanccedilados como monitores planos

(OLED LCD plasma) e gravaccedilatildeo de dados (HD CD DVD)

Diodo orgacircnico emissor de luz

Etiquetas Holograacuteficas

L Armelao et alChem Mater 17 p1450 (2005)

Lynn A Peyser et alScience 291 103 (2001)

Microscopia eletrocircnica

15


1048707 Uso das vantagens de meacutetodos baacutesicos de vaacutecuo

para criar nano-compostos

1048707 Fabricar novos materiais e combinar materiais

1048707 Criar novas funcionalidades

1048707 Nanotecnologia Novos materiais com

melhores ou novas propriedades mecacircnica

otica eleacutetrica magneacutetica e quiacutemica

1048707 Classes de Materiais Nanocompostos

inorgacircnicos e poliacutemeros

1048707 Tecnologia Deposiccedilatildeo de filmes finos

16

Conceitos Baacutesicos

Criar Ferramentas para

1048707 Depositar nanopartiacuteculas de

tamanhos distribuiccedilotildees e materiais

ajustaacuteveis

1048707 Depoacutesito de filmes finos em um

material matriz de interesse

tecnoloacutegico

Resistor de filme fino

Diferentes tipos de substratos semi-

condutores (1-octadeceno coberto por

Si tipo-n e Si tipo-p)

17

Deposiccedilatildeo de Filmes Finos

PVD- Physical Vapor Deposition ndash Um filme eacute formado poratomos diretamente transportados por uma fonte do substratona fase gasosa

Evaporaccedilatildeo Evaporaccedilatildeo Teacutermica Evaporaccedilatildeo por feixe de eleacutetrons

Sputtering Sputerring DC Magnetron Sputtering DC RF Sputerring

PVD Reativo

Evaporaccedilatildeo Teacutermica de Eleacutetrons

Deposiccedilatildeo por Pulverizaccedilatildeo Catoacutedica

Sputtering Magneacutetico

18



19


CVD- Chemical Vapor Deposition ndash Um filme eacute formadopor reaccedilotildees quiacutemicas na superfiacutecie do substrato

CVD de Baixa Pressatildeo (LPCVD)

CVD de Plasma ReforccediladoPlasma Enhanced (PECVD)

CVD de Pressatildeo Atmosfeacuterica (APCVD)

CVD de Metal Orgacircnico (MOCVD) Metal-Organic Chemical Vapour Deposition

Polimerizaccedilatildeo de PlasmaPECVD

20

Deposiccedilatildeo Reativa Ativada por

Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo

Evaporaccedilatildeo

Partiacuteculas Neutras e Natildeo-excitadas

Zona de Plasma

Partiacuteculas Ionizadas e Excitadas

Substrato

Depoacutesito de Titacircnio

sem Plasma

Depoacutesito no Plasma

de uma camada de

Titacircnio

21

Construir Paineacuteis a Toque

Camada de ITO (Oacutexido de Iacutendio

e Estanho) no filme plaacutestico

como um eletrodo fexiacutevel e

transparente para Paineacuteis a

Toque (Electrode for Touch Panel)

Resistecircncia 500

Transmissatildeo Oacuteptica 80

22

Deposiccedilatildeo de MgO ndash Princiacutepio do PDP

(plasma display panel)

Emissatildeo de Luz VIS

Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de

radiaccedilatildeo UV

Camada MgO

Camada dieleacutetrica

Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23


Optical coatings p janelas de carros

Barrier coatings P empacotamento

Scratch and Abrasion resistant coatings

Camadas transparentes condutoras para displays e

aparelhos celulares

Camada de alto indiacutece refrativo para anti-counterfeiting

on top of holograms (credit cards banknotes product

labels)

CIS Foto-voltaiacuteca

Deposiccedilatildeo em Redes Plaacutesticas

e Folhas

Tecnologia

Evaporaccedilatildeo reativa ativa por plasmas

Sputtering DC Magneacutetico Duplo

24

Meacutetodos Avanccedilados de Deposiccedilatildeo agrave Vaacutecuo

Equipamento de Deposiccedilatildeo no CEFETO HHV Auto500 sistema de deposiccedilatildeo polivalente

25

Profa Ana Lucia F de Barros (CEFET-RJ)

Prof Enio F Frota (PUC-Rio)

Dr Philippe Boduch (GANIL-Franccedila)Dr Hermann Rothard (GANIL-Franccedila)



bull Xu- Yang (doutorando Caen - 2010)

bull Christian F (doutorando PUC- 2009)

Gelos Astrofiacutesicos ndash

Acelerador de Iacuteons Pesados

bull UMA VAGA PARA ESTE ANO

bullENVIEM SEUS CURRIacuteCULOS

Gelos Astrofiacutesicos

26

27

- O que satildeo Gelos Astrofiacutesicos

28

Aparato Experimental

O que ocorre com o gelo

N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2

Processo de Colisatildeo

O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering

destruiccedilatildeo dissociaccedilatildeo

formaccedilatildeo

Experimentalmente obtemos

H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield

YNET = Nacute ndash N = Yf ndash Yd ndash Ys (1 projectile)

CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L

Dependence of Absorbance on IR wave number 32

Depois

33

Agradecimentos

CAPES COFECUB CEFET-RJ CNPq

Aguardo voces na IC

2

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bull Processos de Deposiccedilatildeo de Filmes Finos de Nano-Compostos - UTD FEP e CEFET

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bull Gelos Astrofiacutesicos Ecircnfase em gelo de aacutegua ndash PUC ndashFranccedila - Caen

Linhas de Pesquisa

3












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Interior da bolha

T ~ 104 K


6








7


8




31 Os Ressonadores

9


Bomba de vaacutecuo


Deionizador

10







Fotomultiplicadora

11

5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





12












13






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Motivaccedilatildeo












15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

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C5O CO

2

C3O

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Ab

so

rba

nce

C18

O CO

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C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

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Interior da bolha

T ~ 104 K


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31 Os Ressonadores

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

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Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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Motivaccedilatildeo












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ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





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PVD Reativo




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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

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Resistecircncia 500


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Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

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aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

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C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC







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Interior da bolha

T ~ 104 K


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31 Os Ressonadores

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

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Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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Motivaccedilatildeo












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ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





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PVD Reativo




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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

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Resistecircncia 500


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Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

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aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

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C5O O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

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C5O CO

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C3O

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C18

O CO

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O

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Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC







Interior da bolha

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31 Os Ressonadores

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

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Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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Motivaccedilatildeo












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ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





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PVD Reativo




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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

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Resistecircncia 500


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Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

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aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

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formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

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CO2

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(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

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O3

C5O O

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13CO

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C5O CO

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C3O

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O CO

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C17

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Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

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31 Os Ressonadores

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

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Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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Motivaccedilatildeo












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ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





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PVD Reativo




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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


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Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

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aparelhos celulares



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e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

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H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

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H2O

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destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

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CO2

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Measured

FTIR Spectra

Antes

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C3

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C5O O

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C3O

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OC18

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CO

13CO

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C5O CO

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C3O

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O CO

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13CO

Wavenumber(cm-1)

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Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

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31 Os Ressonadores

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

10







Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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Motivaccedilatildeo












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ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





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PVD Reativo




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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

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Resistecircncia 500


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Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

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aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

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C5O O

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C3O

2C

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OC18

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OCC13

CO

13CO

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C5O CO

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nce

C18

O CO

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C17

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13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

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31 Os Ressonadores

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

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Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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ajustaacuteveis



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PVD Reativo




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Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


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sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

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Resistecircncia 500


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Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

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aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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N (moleculescm2)

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H2ON0

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O+6 Beam

CO

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sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

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C3

C5O

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C5O O

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CO

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O CO

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Wavenumber(cm-1)

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Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

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Bomba de vaacutecuo


Deionizador

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Fotomultiplicadora

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5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





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Motivaccedilatildeo












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ajustaacuteveis



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Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

10







Fotomultiplicadora

11

5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





12












13






14

Motivaccedilatildeo












15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

11

5 Observando SBSL




Sinal Obtido

Microfone



Foto Multiplicadora





12












13






14

Motivaccedilatildeo












15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

12












13






14

Motivaccedilatildeo












15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

13






14

Motivaccedilatildeo












15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

14

Motivaccedilatildeo












15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

15












16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

16





ajustaacuteveis



tecnoloacutegico





17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

17





PVD Reativo




18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

18



19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

19








20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

20


Plasma de Alta Taxa

Evaporador

Reaccedilatildeo

Quiacutemica

Ionizaccedilatildeo

Excitaccedilatildeo



Zona de Plasma


Substrato


sem Plasma


de uma camada de

Titacircnio

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



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N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


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Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

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Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

21







Resistecircncia 500


22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



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28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

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2

O3

C5O O

3

C3O

2C

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

22




Painel frontal

Painel de traacutes

Descarga

gaacutes de


Camada MgO


Fosforo

Electrodos de

endereccedilamento

Barreira ribs

Electrodos

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

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28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

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destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

23






aparelhos celulares



labels)



e Folhas

Tecnologia



24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

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Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

24



25













26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

25













26

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28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

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Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC


26

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

27


28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

O3

C5O O

3

C3O

2C

4O

2

OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

2

C3O

2

Ab

so

rba

nce

C18

O CO

2

C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

28



N (moleculescm2)

CO

H2ON0

CO2


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

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CO2

Nacute

CO

CO2

YS

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Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

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2

O3

C5O O

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C3O

2C

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OC18

O

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CO

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C5O CO

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C3O

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Ab

so

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C18

O CO

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O

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Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC


N (moleculescm2)

CO

H2ON0

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O+6 Beam

CO

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CO2

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H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

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O3

C5O O

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C3O

2C

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OC18

O

OCC13

CO

13CO

2

C5O CO

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C3O

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Ab

so

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C18

O CO

2

C17

O

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Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC


O+6 Beam

CO

H2ON

CO2

sputtering


formaccedilatildeo


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

(If Y )

Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

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2

O3

C5O O

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C3O

2C

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OC18

O

OCC13

CO

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C5O CO

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C3O

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so

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C18

O CO

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Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC


H2O

CO

H2O

N

destruction yield

formation yield


CO2

Nacute

CO

CO2

YS

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Measured

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

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2

O3

C5O O

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2C

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OC18

O

OCC13

CO

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C5O CO

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C18

O CO

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C17

O

13CO

Wavenumber(cm-1)

L


Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

FTIR Spectra

Antes

2000 2100 2200 2300 2400

C3

C5O

2

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C5O O

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C3O

2C

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OC18

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OCC13

CO

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2

C5O CO

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C3O

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Ab

so

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nce

C18

O CO

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Wavenumber(cm-1)

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Depois

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Agradecimentos


Aguardo voces na IC

33

Agradecimentos


Aguardo voces na IC

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