Modelo Padrão Para ATPS

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1 FACULDADE ANHANGUERA DE SÃO JOSÉ DOS CAMPOS CURSO DE BACHARELADO EM ENGENHARIA ELÉTRICA Nome: Carlos Henrique Maciel RA: 00000000 Curso: Engenharia Elétrica Série: 7ª E Pedro Henrique Vilas Boas RA: 00000000 Curso: Engenharia Elétrica Série: 8ª E Professor orientador: Renato Cezar Agricco Júnior Anhanguera Educacional [email protected] QUALIDADE NO PROJETO Gerenciamento da qualidade do projeto com aplicação de softwares de simulação eletrônica para aumento da qualidade em projetos eletrônicos. RESUMO O desafio desta ATPS consiste em projetar e construir um filtro ativo passa-baixas capaz de eliminar o ruído de alta frequência do sinal proveniente de um sensor de temperatura em uma caldeira, reduzindo a potência do ruído e, consequentemente, melhorando a qualidade do sinal. Palavras-Chave: filtro, ativo, ruído, potência, sinal. ABSTRACT The challenge of this ATPS is to design and build a low-pass active filter able to eliminate the high frequency noise signal from a temperature sensor in a boiler, reducing the noise power and hence improving the signal quality. Keywords: filter, active, noise, power, signal.

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FACULDADE ANHANGUERA DE SÃO JOSÉ DOS CAMPOS

CURSO DE BACHARELADO EM ENGENHARIA ELÉTRICA

Nome: Carlos Henrique MacielRA: 00000000Curso: Engenharia ElétricaSérie: 7ª E

Pedro Henrique Vilas BoasRA: 00000000Curso: Engenharia ElétricaSérie: 8ª E

Professor orientador:

Renato Cezar Agricco JúniorAnhanguera [email protected]

QUALIDADE NO PROJETO

Gerenciamento da qualidade do projeto com aplicação de softwares de simulação eletrônica para aumento da qualidade em projetos eletrônicos.

RESUMO

O desafio desta ATPS consiste em projetar e construir um filtro ativo passa-baixas capaz de eliminar o ruído de alta frequência do sinal proveniente de um sensor de temperatura em uma caldeira, reduzindo a potência do ruído e, consequentemente, melhorando a qualidade do sinal.

Palavras-Chave: filtro, ativo, ruído, potência, sinal.

ABSTRACT

The challenge of this ATPS is to design and build a low-pass ac-tive filter able to eliminate the high frequency noise signal from a temperature sensor in a boiler, reducing the noise power and hence improving the signal quality.

Keywords: filter, active, noise, power, signal.

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2 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

1. ETAPA 1

Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.

PASSO 1

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar

uma empresa da cidade ou região para agendamento de uma visita à mesma

pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida

na empresa tanto no setor de produção quanto no setor administrativo, desde

a primeira etapa para a fabricação do produto (ou serviço) até a entrega desse

produto (ou prestação desse serviço) para o cliente.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de junção

PASSO 2

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência – Bacharelado em Engenharia Elétrica – Turma 8ª EES

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3 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

Figura 02: Aspecto físico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 03: Estrutura física e polarização de um transistor NPN

PASSO 4

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

A simulação de um circuito eletrônico deve ser etapa anterior ao de sua

montagem física. Por esse motivo, não é plausível que se desenvolva um

circuito ou sistema eletrônico sem que realize sua simulação prévia, pelos

seguintes motivos, entre outros:

Qualidade no Projeto – Pós-Graduação em Engenharia da Qualidade Integrada – Turma 2011/2012.

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4 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

a. Fácil mudança de componentes na estrutura do circuito eletrônico;

a. Eliminação de perdas materiais de dispositivos elétricos ou eletrônicos e até mesmo do circuito eletrônico como um todo;

b. Simulação de parâmetros como largura de banda, corrente máxima fornecida, máxima potência fornecida, etc;

c. Simulação do circuito através de passos ou de maneira contínua, ferramenta útil para o conhecimento da funcionalidade ou do não-funcionalidade do circuito a ser projetado.

2. ETAPA 2

Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.

PASSO 1

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar

uma empresa da cidade ou região para agendamento de uma visita à mesma

pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida

na empresa tanto no setor de produção quanto no setor administrativo, desde

a primeira etapa para a fabricação do produto (ou serviço) até a entrega desse

produto (ou prestação desse serviço) para o cliente.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de junção

PASSO 2

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência – Bacharelado em Engenharia Elétrica – Turma 8ª EES

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5 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 02: Aspecto físico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 03: Estrutura física e polarização de um transistor NPN

PASSO 4

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Qualidade no Projeto – Pós-Graduação em Engenharia da Qualidade Integrada – Turma 2011/2012.

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6 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

A simulação de um circuito eletrônico deve ser etapa anterior ao de sua

montagem física. Por esse motivo, não é plausível que se desenvolva um

circuito ou sistema eletrônico sem que realize sua simulação prévia, pelos

seguintes motivos, entre outros:

a. Fácil mudança de componentes na estrutura do circuito eletrônico;

b. Eliminação de perdas materiais de dispositivos elétricos ou eletrônicos e até mesmo do circuito eletrônico como um todo;

c. Simulação de parâmetros como largura de banda, corrente máxima fornecida, máxima potência fornecida, etc;

d. Simulação do circuito através de passos ou de maneira contínua, ferramenta útil para o conhecimento da funcionalidade ou do não-funcionalidade do circuito a ser projetado.

3. ETAPA 3

Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.

PASSO 1

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar

uma empresa da cidade ou região para agendamento de uma visita à mesma

pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida

na empresa tanto no setor de produção quanto no setor administrativo, desde

a primeira etapa para a fabricação do produto (ou serviço) até a entrega desse

produto (ou prestação desse serviço) para o cliente.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência – Bacharelado em Engenharia Elétrica – Turma 8ª EES

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7 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de junção

PASSO 2

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 02: Aspecto físico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 03: Estrutura física e polarização de um transistor NPN

PASSO 4

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Qualidade no Projeto – Pós-Graduação em Engenharia da Qualidade Integrada – Turma 2011/2012.

Page 8: Modelo Padrão Para ATPS

8 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

A simulação de um circuito eletrônico deve ser etapa anterior ao de sua

montagem física. Por esse motivo, não é plausível que se desenvolva um

circuito ou sistema eletrônico sem que realize sua simulação prévia, pelos

seguintes motivos, entre outros:

a. Fácil mudança de componentes na estrutura do circuito eletrônico;

b. Eliminação de perdas materiais de dispositivos elétricos ou eletrônicos e até mesmo do circuito eletrônico como um todo;

c. Simulação de parâmetros como largura de banda, corrente máxima fornecida, máxima potência fornecida, etc;

d. Simulação do circuito através de passos ou de maneira contínua, ferramenta útil para o conhecimento da funcionalidade ou do não-funcionalidade do circuito a ser projetado.

4. ETAPA 4

Inserir o texto inicial da etapa, com esta fonte.

PASSO 1

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte. Exemplo: Contatar

uma empresa da cidade ou região para agendamento de uma visita à mesma

pelo grupo. Durante a visita o grupo deve observar cada atividade desenvolvida

na empresa tanto no setor de produção quanto no setor administrativo, desde

a primeira etapa para a fabricação do produto (ou serviço) até a entrega desse

produto (ou prestação desse serviço) para o cliente.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência – Bacharelado em Engenharia Elétrica – Turma 8ª EES

Page 9: Modelo Padrão Para ATPS

9 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

Figura 01: Co-inventores do transistor bipolar de junção

PASSO 2

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Figura 02: Aspecto físico do primeiro transistor, produzido pela Bell Telephone Laboratories

PASSO 3

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

Qualidade no Projeto – Pós-Graduação em Engenharia da Qualidade Integrada – Turma 2011/2012.

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10 ATPS: desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência

Figura 03: Estrutura física e polarização de um transistor NPN

PASSO 4

Inserir o texto ao qual de refere o passo, com esta fonte.

Os transistores bipolares utilizados no trabalho foram inicialmente idealizados

no fim da década de 40 (em 23 de dezembro de 1947), no Bell Laboratories,

por três cientistas: Dr. William Schockley (na Figura 01, sentado), Dr. John

Bardeen (à esquerda) e Dr. Walter H. Brattain (à direita).

A simulação de um circuito eletrônico deve ser etapa anterior ao de sua

montagem física. Por esse motivo, não é plausível que se desenvolva um

circuito ou sistema eletrônico sem que realize sua simulação prévia, pelos

seguintes motivos, entre outros:

b. Fácil mudança de componentes na estrutura do circuito eletrônico;

c. Eliminação de perdas materiais de dispositivos elétricos ou eletrônicos e até mesmo do circuito eletrônico como um todo;

d. Simulação de parâmetros como largura de banda, corrente máxima fornecida, máxima potência fornecida, etc;

e. Simulação do circuito através de passos ou de maneira contínua, ferramenta útil para o conhecimento da funcionalidade ou do não-funcionalidade do circuito a ser projetado.

REFERÊNCIAS

Padrão NBR – 6023 e NBR – 10520.

ATPS: Desenvolvimento de circuitos eletrônicos de potência – Bacharelado em Engenharia Elétrica – Turma 8ª EES