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NANOWIRES
Aluno: André Andrade Ferreira
Universidade Federal do Amazonas-UFAM
Faculdade de Tecnologia–FT
Engenharia de Materiais
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ARTIGO:
Crescimento de nanofios dendríticos mediados por catalisador auto-montados
Universidade Federal do Amazonas-UFAMFaculdade de Tecnologia–FT
Engenharia de Materiais
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NANOFIO dos GRUPOS III-V
Fases cristalográficas; Rota de incorporação; Processo de nucleação.
Alterna-se componentes dos grupos III-V e manipula-se a dinâmica de crescimento do nanofio.
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Crescimento Vapor-Líquido-Sólido (VLS)
Figura 1. Esquema do processo de crescimento Vapor-Líquido-Sólido.
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Vantagens
Simples produção; Controle de diâmetro do nanofio; variedades de nanofios.
Desvantagens
• Controle reduzido da fase líquida; Baixa produtividade.
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Câmara de crescimento epitaxial por feixe químico (CBE)
Figura 2 – Esquema do sistema CBE instalado no IFGW da Unicamp.
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Introdução de precursor de Mn durante a síntese de nanofio InAs VLS
1. Dendrítico;
2. Crescimento de ramos epitaxial;
3. ramificado;
1+2+3=novas aplicacões.
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Nanofio InAs em GaAs
Figura 3. Visão geral de crescimento VLS de nanofios de InAs orientados por
MOVPE.
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Mudança nas condições de crescimento
Figura 4. Imagem MEV.
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Estrutura Cristalina
Figura 5. TEManalysis de nanofios de InAs ramificados.
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conclusão
A capacidade de inicioposição começou crescimento dendrítico utilizando um catalisador depositado pelo precursor de fase vapor permitindo a síntese in-situ de multigerações de heteroestruturas hierárquicas de nanofios. Átomos de Mn servem como barreira ao crescimento epitaxial incentivam a nucleação e crescimento de pontos de InAs sobre as facetas do nanofio criando novos nanofios nas mesmas (ramos nascentes).