Oficina de Microfabricação:Projeto e Construção de CI´s MOS

Temas• Seminários:

– Conceitos de Semicondutores– Teoria de Dispositivos– Conceitos de Processos de Fabricação– Projeto de Processo e Dispositivo– Projeto de CI´s– Microssistemas

• CAD– Simulação de Processos e Dispositivos– Projeto de CI´s

Temas - cont.

• Laboratório de Fabricação– Etapas de Processos– Integração de Processo nMOS e pMOS.– Medidas de caracterização de processo– Visitas a laboratórios: CCS, LPD e ITI

• Laboratório de Medidas Elétricas:– Chip didático da U. de Edinburg– Chip didático CCS fabricado.

Instrutures

• Seminários:– Prof. Doi - CCS– Prof. Jacobus - CCS– Dr. Diniz - CCS– Dr. Stanislav - CCS– Dr. Moreira - LSI/USP– Eng Emílio Bortolucci - CCS– Dr. Luiz Otávio - LNLS

Instrutores - cont.• Laboratório de

Fabricação– Prof. Doi

– Dr. Diniz

– Dra. Maria Beny

– Godoy

– Mara

– Regina

– Eudoxio

• Medidas Elétricas– Dr. Diniz

– Dra. Maria Beny

– Rosana

– Leandro

• CAD– Hugo

– Emílio

– Moreira

– Leandro

Apostila - Sumário

• . Evolução de Microeletrônica a Microssistemas• . Conceitos Básicos para Semicondutores• . Semicondutores• . Capacitor MOS• . Transistor MOSFET• . Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS • . Integração de Processos: CMOS em Si• . Estruturas de Dispositivos Semicondutores• . Plasma Etching• . Deposição de Filmes Finos• . Conceitos de Vácuo• .Projeto de Processos e Dispositivos

Apostila - Sumário - cont.

• .Microssistemas: Fabricação e Aplicações• .Introdução à Tecnologia LIGA• .Projeto de CI´s MOS.• .Descrição do Processo MOS do CCS• .Descrição do Chip Didático CCS2• .Descrição das Medidas dos Dispositivos• .Elaboração de Relatório.• .Enquête de Opinião.

Enquete de Opinião• Dê uma nota de 0 a 10 em cada quadro abaixo. No item conteúdo, além da nota, acrescentar também um dos

qualificativos: R (reduzido), A (apropriado) ou D (demasiado).

• Tema Instrutores Conteúdo Apresentação• Rev. Semicondutores Jacobus• Rev. MOS Diniz• Modelo de oxidação Jacobus• Integração processos Jacobus• Difusão e implantaçãoJacobus• Etching úmido e seco Stanislav• Descrição SUPREM Emílio• Descrição PISCES Emílioa• Processos CVD Doi• Cargas SiO2/Si Diniz• Vácuo e Metalização Doi• Projeto CI´s Moreira• Programa Microeletr. Moreira• Evolução de MicroeletJacobus• Microssensores Luiz Ot’svio• LIGA Luiz Otávio• Lab. de Fabricação Vários• Medidas físicas/proc. Mara• LabSUPREM/PISCESHugo, Paula• Lab. medidas CMOS Diniz, Beny• Lab. medidas MOS Diniz, Beny• Lab. projeto CI´s Moreira• Visita ao LPD Beny e Stanislav• Visita ao CTI Doi, outros• Relatório• Nota geral do curso

• Apresente comentários e sugestões: a) gerais sobre o curso, b) sobre os temas específicos.

Integração de Processos

A) Processo nMOS e pMOS

CCS/UNICAMP

Lâminas:

• Orientação (100)

• tipo:– p para nMOS– n para pMOS

• resistividade:– 4 a 9 .cm para lâmina n– 11 a 22 .cm para lâmina p

• Limpeza RCA completa.

Oxidação Inicial

• 1000 °C

• H2O + O2

• 3h

• Xox = 0.7 m

MOS TechnologyMOS Technology

Máscara CCS2

Máscara CCS2

Máscara CCS01

Sugestões e Avisos

• Não hesitem em fazer perguntas!

• Cuidado nos laboratórios:– produtos químicos– gases– equipamentos sofisticados.

• Aproveitem bem o curso.