Centro Universitrio Fundao Educacional de Barretos

Engenharia Eltrica 4 Termo

Diodo 1N4007

Adriel MolezinneR.A. 523558Joo Vitor Alves de A. BarrosR.A. 523680Jacyana Saraiva M. M. GalvoR.A. 526494

Barretos, So Paulo.03/09/2015IntroduoMateriais semicondutores so a base de todos os dispositivos eletrnicos. Um semicondutor pode ter sua condutividade controlada por meio da adio de tomos de outros materiais, em um processo chamado de dopagem. Em geral, os dopantes so inseridos em camadas no cristal semicondutor e, assim, diferentes dispositivos podem ser construdos dispondo-se adequadamente as camadas com os diferentes dopantes.Um diodo semicondutor consiste numa juno de uma camada de semicondutor tipo N com outra de semicondutor tipo P. Num semicondutor tipo N, os portadores de carga ou seja, as partculas que participam da conduo eltrica so eltrons livres, enquanto, num semicondutor tipo P, so buracos livres, de carga positiva. Em semicondutores dopados, os eltrons e os buracos so provenientes dos tomos dopantes. Na juno de um material tipo N com um tipo P, os eltrons prximos juno difundem da regio N para a P, enquanto os buracos difundem no sentido oposto. Quando esses eltrons e buracos se encontram, eles recombinam-se, deixando, na interface, uma regio com os ons positivos e negativos dos dopantes. Essa regio desprovida de portadores de carga e chamada regio de depleo. Os ons criam um campo eltrico, nessa regio, que impede a continuidade da difuso de eltrons e de buracos. Ao ser conectada a uma fonte de fora eletromotriz, uma juno P-N permite o fluxo de corrente apenas em um sentido da regio P para a regio N.A camada de depleo gera uma tenso interna inversa ao dos terminais, da ordem de V = 0,7 V, sendo que esta poder variar de acordo com as caractersticas do material (dopagem, tipo de material, etc.) e a temperatura ambiente.

Materiais e MtodosO procedimento foi realizado no laboratrio do Centro Universitrio da Fundao Educacional de Barretos, no dia 13 de agosto de 2015, com a utilizao de um pront-board, uma fonte de tenso contnua, uma resistncia (330 ), multmetros e um diodo 1N4007. Assim foi montado o circuito:

Inicialmente foi aplicada uma tenso de 50mV e aumentando outros 50mV a cada verificao da corrente eltrica do circuito.

Resultados

Voltagem (mV)Corrente (mA)

500

1000

1500

2000

2500

3000

3501

4009

45033

50079

Voltagem (mV)Corrente (mA)

550133

600212

650300

700385

750482

800577

850676

900782

950894

1000990

O grfico construdo apresenta a curva caracterstica do diodo. Observamos que at 0,3 V o diodo no permite a passagem de corrente. A partir de valores acima de 0,3 V este comea a apresentar um comportamento aproximadamente linear (hmico), ou seja, o aumento de corrente em funo da tenso aplicada forma uma reta, podendo assim o diodo ser considerado nessa regio de tenso com o um resistor em srie com a fonte de tenso. Podemos dizer que V, proporcionada pela barreira de potencial dentro do diodo aproximadamente 0,3 V. Sabemos pela literatura que o valor de V do Germnio de 0,3 V. Portanto, podemos concluir que o diodo utilizado em nosso experimento de Germnio.

ConclusoO experimento demonstrou as caractersticas do diodo diretamente polarizado, o qual provou conduzir a corrente do circuito quando ligado o seu catodo ao lado mais negativo do circuito. Com a caracterizao da camada de depleo, que neste diodo em especfico possui um V prximo a 0,7V, quando a linha se torna linear e conserva-se a lei de Ohm.