Trabalho 01 - Lucas Prevedello dsdsa das
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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA CENTRO DE TECNOLOGIA
CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA
TRABALHO DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS ELETRONICOS II
Prof. Cesar Ramos Rodrigues
Lucas Coradini Prevedello
Santa Maria, RS, Brasil
2015
-
Seo 4.1
1.
Grfico 1: Baseado na Fig. 4.1, pgina 107
2.
Comparando o sinal obtid
invertida, e o sinal de sada amplificado
termo K refere-se a resistncia
. .
. .
.
Grfico 1: Baseado na Fig. 4.1, pgina 107
Comparando o sinal obtido na sada em relao a entrada, notamos que a fase
invertida, e o sinal de sada amplificado, ocasionando um ganho de tenso
se a resistncia-1.
(1)
(2)
(3)
o na sada em relao a entrada, notamos que a fase
, ocasionando um ganho de tenso. O
-
Seo 4.3
1.
Um transistor encontra-se na regio ativa se a juno base-emissor (JBE) estiver diretamente polarizada (VBE> tenso de limiar), a juno base-coletor (JBC) inversamente polarizada com 0< VBC
-
Supondo que exp 4$()$& 5 1,
23 28. exp "
(7)
28 . -. .. #
.1 (8)
Quando conectamos dois transistores unindo seus terminais equivalentes, e
assumindo que I: +I:#= I
-
23A 2? 0,60 0,526 2,63
0,65 3,60 18,00
0,70 24,63 123,15
0,75 168,53 842,65
Tabela 1
Grfico 2: Grfico mostrando a curva da corrente de coletor em funo de Vbe, com os dados
retirados da Tabela 1.
Grfico 3: Grfico mostrando a curva da corrente da base em funo de Vbe, com os dados
retirados da Tabela 1.
0,00E+00
2,00E-02
4,00E-02
6,00E-02
8,00E-02
1,00E-01
1,20E-01
1,40E-01
1,60E-01
1,80E-01
0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8
Grfico Ic x Vbe
0,00E+00
1,00E-04
2,00E-04
3,00E-04
4,00E-04
5,00E-04
6,00E-04
7,00E-04
8,00E-04
9,00E-04
0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8
Grfico Ib x Vbe
-
2.
23 28. $()$
(42)
0,1 5. 10DE. $()#F.GH (53)
0,73642 (64)
O valor mnimo de VCE precisa ser maior que VBE, e o valor mximo
precisa ser menor que a tenso de alimentao do circuito (VCC).
3.
4.
Aumentando a tenso Vbe em 1mV, ou seja de 0,73642 V para 0,73742 V,
recalculamos as correntes de base e coletor.
MA 2N26A 0,1
26A 3,85P (7)
2N MA. Q 3,85.0,001 3,85A (8)
2Q 2N@ 3,85A200 19,25S
(9)
-
23A 2? 0,73642 100,00 500,00
0,73742 103,92 519,60
0,73842 107,77 538,50
Tabela 2
Analisando os dados da Tabela 2, podemos notar que para cada mV de
incremento em Vbe, a corrente de coletor aumenta aproximadamente 3,85mA, e a
corrente de base aumenta em 19,25uA. Essas variaes so caractersticas da
propriedade fsica chamada transcondutncia (gm) que atua no dispositivo.