UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA CENTRO DE TECNOLOGIA

CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA

TRABALHO DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS ELETRONICOS II

Prof. Cesar Ramos Rodrigues

Lucas Coradini Prevedello

Santa Maria, RS, Brasil

2015

Seo 4.1

1.

Grfico 1: Baseado na Fig. 4.1, pgina 107

2.

Comparando o sinal obtid

invertida, e o sinal de sada amplificado

termo K refere-se a resistncia

. .

. .

.

Grfico 1: Baseado na Fig. 4.1, pgina 107

Comparando o sinal obtido na sada em relao a entrada, notamos que a fase

invertida, e o sinal de sada amplificado, ocasionando um ganho de tenso

se a resistncia-1.

(1)

(2)

(3)

o na sada em relao a entrada, notamos que a fase

, ocasionando um ganho de tenso. O

Seo 4.3

1.

Um transistor encontra-se na regio ativa se a juno base-emissor (JBE) estiver diretamente polarizada (VBE> tenso de limiar), a juno base-coletor (JBC) inversamente polarizada com 0< VBC

Supondo que exp 4$()$& 5 1,

23 28. exp "

(7)

28 . -. .. #

.1 (8)

Quando conectamos dois transistores unindo seus terminais equivalentes, e

assumindo que I: +I:#= I

23A 2? 0,60 0,526 2,63

0,65 3,60 18,00

0,70 24,63 123,15

0,75 168,53 842,65

Tabela 1

Grfico 2: Grfico mostrando a curva da corrente de coletor em funo de Vbe, com os dados

retirados da Tabela 1.

Grfico 3: Grfico mostrando a curva da corrente da base em funo de Vbe, com os dados

retirados da Tabela 1.

0,00E+00

2,00E-02

4,00E-02

6,00E-02

8,00E-02

1,00E-01

1,20E-01

1,40E-01

1,60E-01

1,80E-01

0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8

Grfico Ic x Vbe

0,00E+00

1,00E-04

2,00E-04

3,00E-04

4,00E-04

5,00E-04

6,00E-04

7,00E-04

8,00E-04

9,00E-04

0,55 0,6 0,65 0,7 0,75 0,8

Grfico Ib x Vbe

2.

23 28. $()$

(42)

0,1 5. 10DE. $()#F.GH (53)

0,73642 (64)

O valor mnimo de VCE precisa ser maior que VBE, e o valor mximo

precisa ser menor que a tenso de alimentao do circuito (VCC).

3.

4.

Aumentando a tenso Vbe em 1mV, ou seja de 0,73642 V para 0,73742 V,

recalculamos as correntes de base e coletor.

MA 2N26A 0,1

26A 3,85P (7)

2N MA. Q 3,85.0,001 3,85A (8)

2Q 2N@ 3,85A200 19,25S

(9)

23A 2? 0,73642 100,00 500,00

0,73742 103,92 519,60

0,73842 107,77 538,50

Tabela 2

Analisando os dados da Tabela 2, podemos notar que para cada mV de

incremento em Vbe, a corrente de coletor aumenta aproximadamente 3,85mA, e a

corrente de base aumenta em 19,25uA. Essas variaes so caractersticas da

propriedade fsica chamada transcondutncia (gm) que atua no dispositivo.