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FABRÍCIO – RONALDO - DORIVAL
Transistor FET
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FET
Construção
Transistor de efeito de campo (FET)
Elemento de três terminais
Dispositivo controlado por tensão No BJT, o controle do dispositivo é feito por corrente na base
Controle induzido por campo elétrico Daí o nome “efeito de campo”
Melhor estabilidade em relação ao BJT
Pior sensibilidade ao sinal de entrada em relação ao BJT Trade-off de engenheiro!
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FET
Tipos
JFET
Transistor de junção (J)
MOSFET por depleção
MOSFET por intensificação
Metal-óxido-semicondutor (MOS)
Facilidade para integração em CI
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FET
Construção (JFET canal n)Dreno
Porta (Gain) np p
Fonte (Source)
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FET
Construção (JFET canal p)Dreno
Porta (Gain) pn n
Fonte (Source)
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FET
Construção
Região de depleção
Formada pela junção dos materiais p e n
Fenômeno idêntico ao dos diodos
DDPs importantes:
vDS
Tensão entre dreno e fonte
vGS
Tensão aplicada nas portas e fonte
Atente para conexão entre ambas as portas
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FET
vGS = 0, vDS > 0
np p
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FET
vGS = 0, vDS > 0
Fluxo de elétronsinduzidos por vDS
sentido realda corrente
Alteração forçadada zona dedepleção
np p
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FET
vGS = 0, vDS > 0
Aumentando vDS,aumenta-se a zona dedepleção.
Existe limite?E a corrente entreos nós D e S? np p
iD
iS
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FET
vGS = 0, vDS > 0
Por que a zona de depleção aumenta?
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FET
vGS = 0, vDS > 0
Por que a zona de depleção aumenta?
Elétrons externos “cobrem” as lacunas do material n Tensão da fonte vDS
Cobertura propaga-se no sentido real da corrente
Existem regiões de depleção maiores e menores ao longo do FET
Orientação depende do sentido real da corrente
Induzidas pelo fluxo de elétrons da fonte externa
Distribuição uniforme de resistência “R” no FET
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FET
vGS = 0, vDS > 0
Aumento de vDS induz uma resistência no JFET
iD = iS
JFET não altera densidade de fluxo de corrente (vG=0)
iD = vDS / “R”
No limite (vDS = vP)
JFET limita densidade de fluxo de corrente (“R” = ∞)
Corrente é limitada a iD = iDSS
Corrente de saturação
Corrente do dreno quando porta está em curto
Não há estrangulamento de corrente!
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FET
Curva iD vDS
iDSS
vP
iD
vDS
vGS = zero
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FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
vDS aumenta regiãode depleção
Polarização reversa
Independente de vDS
np p
iG=zero
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FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Aumentando vDS,aumenta-se a zona dedepleção
np p
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FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Aumentando vDS,aumenta-se a zona dedepleção
np p
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FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Reduzindo vGS
Aumentamos zona de depleção nas junções p-n Para vDS = zero
Reduzimos vP
Reduzimos iDSS
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FET
Curva iD vDS (JFET canal n)
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FET
Curva iD vDS (JFET canal n)Lugar geométrico de vP
iDSS’s
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FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Quando vGS = vGS-off = vP
iDSS = zero
FET está desligado
À direita do lugar geométrico de vP
Região de saturação do FET
FET como fonte de corrente!
À esquerda do lugar geométrico de vP
Região de amplificação/operação do FET “vout(t) = G vin(t)”
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FET
vGS > 0, vDS > 0 (JFET canal p)
Fluxo das “lacunas”
pn n
iD
iS
iG=zero
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FET
Curva iD vDS (JFET canal p)
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FET
Símbolos para JFET
S
BF245C
D
G G
S
J174
D
Material N Material P
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FET
Comportamentos do JFET
vGG = zero
iD = iDSS se vDD > |vP|
|vGG| ≥ |vP|
iD = zero
Independente de vDD
Situação de corte na saída
|vP| ≥ |vGG| ≥ zero
0 ≤ iD ≤ iDSS
Importante para o circuito atual: vGG = – vGS
v DD
0
v GG
BF245C
iD
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FET
Comportamento do JFET
iD = iDSS [ 1 – (vGS/vP) ]2
vGS = vP [ 1 – (iD/iDSS)1/2 ]
iDSS e vP – dados do fabricante
Equações são as mesmas
Uso dependente da necessidade
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FET
Comportamento do JFET
Para obter iD x vGS a partir de iD x vDS
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FET
Comportamento do JFET
Para obter iD x vGS a partir de iD x vDS
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
p
n
n
nPorta (Gain)
Fonte (Source)
Dreno
Substrato (SSubstract)
Isolante (SiO2)
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
Região isolante (SiO2)
Daí o nome de “óxido”
O nome “metal” vêm dos contatos metálicos
“Corpo” formado de material p
“Canal” formato de material n
Não há contato entre porta (G) e canal
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
vDS > 0, vGS = 0
p
n
n
n
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
vDS > 0, vGS = 0
Corrente fluipelo canal dematerial n
iD = iS
Pode atingir iDSS
Como no JFETp
n
n
n
iD
iS
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
vDS > 0, vGS < 0
Redução dacorrente nocanal.
iD
iS
p
n
n
n
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
vDS > 0, vGS < 0
Tensão negativa na porta induz aumento de zona de depleção na região do canal Efeito de campo
Importante: não há contato entre porta e canal
Redução da corrente de elétrons no canal
Corrente real, até o estrangulamento
Como no JFET
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento dacorrente nocanal.
iD
iS
p
n
n
n
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento da corrente de elétrons no canal Elétrons adicionais são “roubados” dos portadores
minoritários presentes no corpo – material p
Exige cuidado para não destruir o componente
iD > iDSS
Intensificação da corrente no canal
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FET
Construção (MOSFET depleção do tipo p)
Comportamentoanálogo aoMOSFET pordepleção dotipo p
iD
iS
n
p
p
p
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FET
Comportamento (MOSFET depleção tipo n)
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FET
Comportamento (MOSFET depleção tipo p)
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FET
Comportamento (MOSFET depleção)
Mesmas já vistas anteriormente
iD = iDSS [ 1 – (vGS/vP) ]2
vGS = vP [ 1 – (iD/iDSS)1/2 ]
iDSS e vP – dados do fabricante
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FET
Símbolos para MOSFET por depleção
Atente para a ligação do substrato com a fonte.
D
2
13
G
S
D
S
G 2
13
Material N Material P
SS
G
S
D
G
D
SS
S
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
p
n
n
Porta (Gain)
Fonte (Source)
Dreno
Substrato (SSubstract)
Isolante (SiO2)
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
Região isolante (SiO2)
Daí o nome de “óxido”
O nome “metal” vêm dos contatos metálicos
“Corpo” formado de material p
Não há canal
Não há contato entre porta (G) e o “corpo”
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
vDS > 0, vGS = 0
Não há correntefluindo atravésdo dreno e dafonte.
Polarizaçãoreversa impededuplamentetal corrente.
p
n
n
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
vDS > 0, vGS > 0
Indução de caminho deelétrons naregião da porta
iD
iS
p
n
n
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
Potencial vGS repele “lacunas” do corpo
Aquelas próximas do isolante SiO2
Indução de zona de depleção nessa região
Potencial vGS atrai elétrons do corpo
Elétrons de material p = portadores minoritários
Formação de caminho/canal
Agora há um condutor para circulação de corrente
vGS controla “vazão” do canal induzido
vGS > vT (tensão de limiar) para haver corrente
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento devDS reduzcorrente nocanal virtual
iD
iS
p
n
n
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FET
Construção (MOSFET por intensificação n)
Aumento da tensão vDS gera saturação
Efeito equivalente ao MOSFET depleção ou FET Elétrons “externos” (da fonte vDS) cobrem “lacunas” do
substrato na vizinhança entre substrato/canal virtual
Substrato = “corpo”
Aumento de vDS não afeta mais iD
iD é a corrente de saturação (equivalente ao iDSS)
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FET
Comportamento (MOSFET intensificação n)
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FET
Comportamento (MOSFET intensificação n)
Comportamento não-linear
Difere dos FETs e MOSFETs mostrados anteriormente
vDS-sat = vGS – vT
vT é fornecido pelo fabricante
iD = k (vDS-sat)2
iD = k (vGS – vT)2
Para vGS > vT
k depende da construção:
k = iD-on / (vGS-on – vT)2
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FET
Construção (MOSFET intensificação p)
Comportamentoanálogo aoMOSFET porintensificaçãodo tipo p
iD
iS
n
p
p
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FET
Comportamento (MOSFET intensificação p)
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FET
Símbolos para MOSFET por intensificação
Atente para a ligação do substrato com a fonte.
Material N Material P
S
D
G
S
D
G
S
G
SS
D
S
SS
G
D