UJT

Transistor de unijunoOrigem: Wikipdia, a enciclopdia livre.

Transistor de unijuno (UJT) um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores,geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados.ndice[esconder]

1 Smbolos 2 Constituio interna 3 Principio de funcionamento 4 Caractersticas tcnicas 5 Como testar o UJT com o multmetro 6 Oscilador com um transistor de unijuno

[editar]Smbolos E Emissor B1 Base 1 B2 Base 2

[editar]Constituio

interna

Basicamente o transistor de unijuno constitudo por uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais contatos no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora interna. Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2).

[editar]Principio

de funcionamento

O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 relativamente alto (tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito pequena circular por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de tenso, em cujo ponto intermdio surge uma tenso menor, porm proporcional quela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores iguais,

de 5 K cada um. Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o ctodo do diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma tenso de entrada no emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a barreira de potencial intrnseca da juno PN ( 0,6V) e, em seguida, superar a prpria tenso que polariza o ctodo (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a tenso aplicada ao terminal do emissor (E) no atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) no haver passagem de corrente pelo emissor atravs de Rb1 para a linha de negativo da alimentao. Mantendo-se no exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do que 5,6 Volts determinar a passagem de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a 5,6V) ser incapaz de originar passagem da corrente eltrica pelo emissor (E) e por Rb1. Enquanto os 5,6V no forem atingidos, a corrente ser nula, como atravs de um interruptor aberto. Alcanando os 5,6V, tudo se passa como se o tal interruptor estivesse fechado. A corrente que circular estar limitada unicamente pelo valor resistivo intrnseco de Rb1. Como a transio de corrente nula, para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1) se d sempre de forma abrupta (quando a tenso de emissor chega tenso/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples interruptor acionado por tenso.

[editar]Caractersticas

tcnicas

Tenso entre bases (Vbb) a mxima tenso que pode ser aplicada entre as bases. Tenso entre emissor e base 1 (Vb1e) a mxima tenso que pode ser aplicada entre esses dois terminais.

Resistncia entre bases (Rbb) a resistncia existente entre os dois terminais de base. Corrente de pico de emissor (Ie) a corrente mxima que pode circular entre o emissor e a base 1 quando o transistor disparado.

Razo intrnseca de afastamento ()

Rbb = Rb1 + Rb2 a chamada razo intrnseca de afastamento, que nada mais do que o fator do divisor de tenso. A faixa tpica de variao de de 0,5 a 0,8. Por exemplo, o 2N2646 tem um de 0,65. Se este UJT for usado com uma tenso de alimentao de 10 Volt V1 = x V V1 = 0,65 x 10 V1 = 6,5V V1 a chamada tenso intrnseca de afastamento porque ela mantm o diodo emissor com polarizao inversa para todas as tenses aplicadas ao Emissor, inferiores a V1. Se V1 for igual a 6,5 Volt, ento temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os 6,5V para polarizar diretamente a juno PN e haver conduo entre Emissor e a Base 1.

[editar]Como

testar o UJT com o multmetro

Medir a resistncia entre as duas bases (em qualquer sentido), o valor medido deve estar entre 4 e 12 K, tipicamente.

Colocar as pontas de prova entre o emissor e a base 1 devendo indicar o multmetro uma resistncia alta num sentido e uma resistncia baixa no sentido oposto (indicando o estado da juno PN).

[editar]Oscilador

com um transistor de unijuno

Ao aplicarmos inicialmente a alimentao ao circuito o capacitor comea a carregar, atravs da resistncia R ( = R x C). Assim que a tenso aos terminais do condensador atinge o ponto de disparo do UJT a corrente sai pela base 1 passando por R1. Desta forma o capacitor descarrega e a sua tenso passa a ser inferior tenso necessria para disparar o UJT ficando este novamente ao corte, reiniciando-se novamente todo o ciclo. de notar que devido s suas posies R2 e R1 influenciam a prpria relao intrnseca do divisor de tenso interno do UJT, uma vez que R2 mais RB2 encontram-se acima da juno de Emissor, enquanto que R1 e RB1 se encontram abaixo da mesma juno. Assim se R2 aumentar, a tenso necessria para disparar o UJT diminui (e vice-versa). Se R1 aumentar a tenso de disparo do UJT tambm ter que aumentar. Se desejarmos uma freqncia baixa de oscilao, podemos aumentar o valor da capacidade do capacitor.

http://pt.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unijun%C3%A7%C3%A3o

http://en.wikipedia.org/wiki/Unijunction_transistor

Transistor Unijunction TRADUZIDOOrigem: Wikipdia, a enciclopdia livre

Transistores Unijunction

Circuito smbolo

Um transistor unijunction (UJT) uma electrnica de semicondutores dispositivo que tem apenas uma juno . O UJT tem trs terminais: um emissor (E) e duas bases (B1 e B2). A base formada por levemente dopado n-tipo barra de silcio. Dois contactos B1 e B2 hmica esto ligados nas suas extremidades. O emissor de tipo p- e fortemente dopado. A resistncia entre B1 e B2, quando o emissor circuito aberto chamado de resistncia IB. Existem trs tipos de transistores unijunction:

O transistor unijunction original, ou UJT, um dispositivo simples que essencialmente uma barra de N tipo de semicondutor material em que P material tipo tem sido difundido em algum

lugar ao longo do seu comprimento, definindo o parmetro dispositivo mais usada do UJT.

. O 2N2646 a verso

O transistor unijunction complementar, ou CUJT, que uma barra de tipo P semicondutormaterial em que N material tipo tem sido difundido em algum lugar ao longo do seu comprimento, definindo o parmetro dispositivo . O 2N6114 uma verso do CUJT.

O transistor unijunction programvel, ou PUT, um primo prximo do tiristor . Tal como o tiristor constitudo por quatro camadas PN e tem um nodo e um ctodo ligado ao primeiro e da ltima camada, e uma porta ligada a uma das camadas interiores. Eles no so diretamente intercambivel com UJTs convencionais, mas desempenham uma funo similar.Em uma configurao de circuito adequado com dois resistores de "programao" para definir o parmetro , Eles se comportam como um UJT convencional. O 2N6027 um exemplo de um

tal dispositivo. O UJT polarizado com uma tenso positiva entre as duas bases. Isto provoca uma queda de potencial ao longo do comprimento do dispositivo. Quando a tenso do emissor conduzido aproximadamente uma tenso do diodo acima da tenso no ponto em que a difuso P (emissor) , a corrente comear a fluir a partir do emissor para a regio da base. Como a regio de base muito levemente dopado, a corrente adicional (na verdade, cargas na regio da base) faz com que a modulao de condutividade que reduz a resistncia da poro da base entre a juno emissor eo terminal B2. Esta reduo na resistncia significa que a juno emissor mais polarizado, e de modo ainda mais corrente injectada. Em geral, o efeito uma resistncia negativa no terminal emissor. Isto o que faz com que o UJT til, especialmente em circuitos osciladores simples. Circuitos de transistores Unijunction eram populares em circuitos de componentes eletrnicos na dcada de 1960 e 1970 porque permitiram simples osciladores para ser construda utilizando apenas um dispositivo ativo. Por exemplo, eles foram usados para osciladores de relaxao de luzes estroboscpicas de taxa varivel. [1] Mais tarde, como circuitos integrados tornaram-se mais popular, osciladores como otemporizador 555 IC tornou-se mais comumente usados. Em adio sua utilizao como o dispositivo activo em osciladores de relaxamento , uma das aplicaes mais importantes da UJTs ou coloca provocar tiristores ( SCR , TRIAC , etc.) Na verdade, uma tenso de DC pode ser utilizado para controlar um UJT ou PUT circuito de tal modo que o "on perodo" aumenta com um aumento na tenso de controlo DC. Esta aplicao importante para o controle de CA grande corrente. UJTs tambm pode ser utilizado para medir o fluxo magntico. O efeito de Hall modula a tenso na juno PN. Isso afeta a freqncia de osciladores de relaxao UJT. [2] Isso s funciona com UJTs. Puts no apresentam esse fenmeno.

[ editar ]Ver

tambm

Mudana de fase do oscilador

[ editar ]Referncias

1.

^ . Ronald M. Benrey (Out. 1964) "Um flash de repetio Voc pode construir" . Popular Science 185 (4): .

2.

^ Agrawal, SL;. DP Saha, R. Swami, RP Singh (23 de Abril de 1987) "fluxmeter magntica digital utilizando unijunction sonda transistor" .International Journal of Retirado 24 de setembro de 2011.

[ editar ]Ligaes

externas

O Wikimedia Commons possui multimdia sobre: transistores Unijunction

Diagramas e descrio de transistores unijunction de Microsemiconductor americano

TUJ OU UJT

Funcionamento e polarizao Usos: Gerador de forma de onda e osciladores Constituio interna

O material N levemente dopado, o que implica numa elevada resistncia Simbologia

Circuito equivalente

Parmetros internos

Resistncia base base: Rbb = Rb1 + Rb2

Relao intrnseca de bloqueio: n = Rb1 = Vb1 Rbb Vcc

Obs.: Na prtica n varia entre 0,5 a 0,8. Funcionamento Para que o circuito seja polarizado diretamente necessrio que a tenso entre o emissor e a base1 (B1) seja no mnimo igual a : Veb1 (tenso entre emissor e base1) = Vd + Vb1 Para sabermos o valor de Vb1 basta voltarmos a expresso que define n: n = Rb1 = Vb1 n = Vb1 Rbb Vcc Vcc Vb1 = n . Vcc

Temos ento: Veb = Vd + n . Vcc p/ Vd = 0,5 a 0,7V

A este valor de Veb damos o nome de tenso de pico, que aonde acontece o disparo do TUJ. Chamamos a tenso neste ponto de Vp. Vp = Veb = Vd + n . Vcc Vp = Vd + n . Vcc A partir desta tenso o TUJ conduz com um aumento considervel da corrente. portanto:

Curva caracterstica

O disparo ocorre em Vp / Ip. O final do processo ocorre em Vv / Iv. Podemos perceber que durante este intervalo temos um aumento da corrente com uma diminuio da tenso, o que nos indica uma regio de resistncia negativa (condio indicada por V e P). Do ponto V ao X o TUJ se comporta como um resistor linear (TUJ saturado). Para utilizarmos o TUJ em circuitos osciladores devemos polariz-los na regio de resistncia negativa.

Caractersticas do 2N2646

Rbb = 4K7 a 9K1 n = 0,56 a 0,75 Ip = 5microA Iv = 4mA Vv = 2,2V Pinagem

Configurao bsica

Funcionamento

Ao ligarmos Vcc o capacitor C comear a se carregar at que a tenso sobre ele atinja Vd. Neste instante o TUJ conduz e aparece um pico de tenso sobre R1 (R1 deve sempre ter um valor baixo). Quando a corrente Ie atinge um valor no suficiente para manter o transistor disparado, o processo se inicia novamente. As formas de onda no circuito so as seguintes:

O tempo de carga pode ser calculado, aproximadamente, por: Tempo de carga = Ton = 0,7.R.C Como o perodo de descarga muito menor que o de carga, podemos dizer que T = Ton e a frequncia ser dada por: F=1= T 1 R.C

Dimensionamento do circuito

R2 = 0,015.Vcc.Rbb.n Rbb = 10(R1 + R2) R1 = Rbb - R2 10 O resistor de emissor (R ou Re) deve ser dimensionado para que o TUJ trabalhe na regio de resistncia negativa. * Re mx. = Vcc - Vp Ip Vp = tenso de disparo Ip = corrente de disparo * corresponde a tenso mnima sobre Re ** Re mn. = Vcc - Vv Iv onde: onde: ento:

Vv = tenso de fim de disparo Iv = corrente de fim de disparo ** corresponde a tenso mxima sobre Re Obs.: Caso Re seja maior que Re mx. no teremos corrente suficiente para o disparo. Caso Re seja menor que Re mn. sairemos da regio de resistncia negativa e o circuito no oscilar.

Projeto Dados: Rbb = 8K Ohms Ip = 5microA n = 0,6 Iv = 4mA Vd = 0,6V

Vcc = 9V Vv = 2,2V C = 100nF

Clculos

Re mn. = Vcc-Vv = 9 - 2,2 = 1700 Ohms Iv 4.10 = 600 Ohms

Re mx. = Vcc- Vp = 9 - 6 Ip onde: Vp = Vd + n.Vcc Vp = 0,6 + (0,6 . 9) Vp = 6V 5.10

R2 = 0,015 . Vcc . Rbb . n R2 = 0,015 . 9 . 8 . 10 . 0,6 R2 = 648 Ohms

R1 = Rbb - R2 10 R1 = 8000 - 648 10 R1 = 152 Ohms

F mn. =

1 Re mx. . C

F mn. =

1 600.10.100.10

F mn. = 17Hz

F mx. =

1 Re mn. . C

F mn. =

1 1700.100.10

F mn. = 5,88KHz

http://www.radiopoint.com.br/tuj.htm

OUTRAS FONTES http://www.eletronica24h.com.br/cursoEI/cursoEI2/aulas/Aula05.html

O Transistor Unijunction (UJT)Transistor Unijunction: Embora um transistor unijunction no um tiristor, este dispositivo pode desencadear tiristores maiores com um pulso na B1 base. Um transistor unijunction composto de uma barra de tipo N-silcio tendo uma ligao do tipo P no meio. Ver Figura abaixo (a). As ligaes nas extremidades da barra so conhecidos como bases B1 e B2, o tipo-P ponto mdio o emissor. Com o emissor desligado, o total da resistncia R BBO, um item de folha de dados, a soma de R B1 e B2 R como mostrado na Figuraabaixo (b). R BBO varia de 4-12k para diferentes tipos de dispositivos. O suporte isolador intrnseca relao a relao de R a R B1 BBO. Ela varia de 0,4-0,8 para dispositivos diferentes. O smbolo esquemtico figura abaixo (c)

Transistor Unijunction: (a) Construo, (b) modelo, smbolo (c) O emissor Unijunction corrente vs curva de voltagem caracterstica (Figura abaixo (a)) mostra que medida que aumenta V E, a corrente I E aumenta acima P no ponto de pico. Para alm do ponto de pico, a corrente aumenta como tenso diminui na regio resistncia negativa. A tenso atinge um mnimo no ponto de vale. A resistncia de R B1, a resistncia de saturao mais baixa est no ponto de vale. I P e I V, so parmetros da folha de dados;. Para um 2n2647, eu P e I V so 2A e 4mA, respectivamente[AMS] V P a queda de tenso atravs de R B1 mais uma gota de diodo 0.7V; ver Figura abaixo (b ). V V estimado em cerca de 10% de V BB.

Transistor Unijunction: (a) da curva caracterstica emissor, (b) O modelo para V P. O oscilador de relaxao na figura abaixo uma aplicao do oscilador unijunction. R E C E encargos at o ponto de pico. O terminal emissor unijunction no tem efeito sobre o condensador at este ponto atingido.Uma vez que a tenso do capacitor, V E, atinge o pico de tenso no ponto de V P, a baixa resistncia emissor base1-E B1-rapidamente descarrega o capacitor. Uma vez que as descargas de capacitores abaixo do ponto de vale V V, o E-RB1 resistncia reverte para uma elevada resistncia, e do condensador livre para carregar de novo.

Unijunction oscilador de relaxao de transistor e formas de onda. Oscilador dirige SCR. Durante descarga do condensador atravs da resistncia de saturao E B1-, um pulso pode ser visto na B1 externo e resistncias de carga, B2 Figura acima . O resistor de carga em B1 deve ser baixa para no afectar o tempo de descarga. A resistncia externa no B2 opcional. Pode ser substitudo por um curto-circuito. A frequncia aproximada dada por 1 / f = T = RC. A expresso mais exata para a freqncia dada na figura acima . O carregamento resistor R E deve cair dentro de certos limites. Deve ser suficientemente pequena para permitir que I P a fluir com base no V BB fornecimento menos P V. Deve ser grande o suficiente para abastecer

Eu V baseada na V para um 2n2647:

BB

menor suprimento

V

V. [MHW] As equaes e um exemplo

Transistor Unijunction programvel (PUT): Embora o transistor unijunction est listado como obsoleto (leia-se caro, se obtida), o transistor programvel unijunction est vivo e bem. barato e em produo.Embora serve uma funo semelhante do transistor unijunction, o PUT um tiristor terminal de trs. As partes colocar a estrutura de quatro camadas tpico de tiristores mostrado na Figura abaixo . Note-se que a porta, uma camada tipo-N perto do nodo, conhecido como um "porto nodo". Alm disso, o chumbo porto sobre o smbolo esquemtico ligado extremidade do nodo do smbolo.

Transistor unijunction programvel: curva caracterstica, construo interna, smbolo esquemtico. A curva caracterstica para o transistor unijunction programvel na Figura acima similar do transistor unijunction. Este um grfico da corrente I nodo A versus nodo tenso V a. Os portes de chumbo conjuntos de tenso, programas, o pico de tenso nodo V P. Como nodo inceases corrente, tenso aumenta at o ponto de pico. Posteriormente, aumentando os resultados atuais na diminuio da tenso, at o ponto vale. O equivalente PUT do transistor unijunction mostrado na Figura abaixo . Externa PUT resistores R1 e R2 substituir resistncias internas do transistor unijunction R B1 e B2 R, respectivamente. Estas resistncias permitir o clculo da razo de intrnseca impasse .

PUT equivalente do transistor unijunction Figura abaixo mostra a verso PUT da Figura oscilador de relaxao unijunction anterior . Resistor R carrega o capacitor at o ponto culminante, a figura anterior , depois de conduo pesada move o ponto de operao para baixo da encosta resistncia negativa ao ponto vale. A corrente flui atravs do ctodo espiga durante descarga do condensador, o desenvolvimento de um pico de tenso atravs das resistncias de ctodo. Aps a alta capacitor, a ponto de funcionamento volta redefine a inclinao at o ponto de pico.

PUT oscilador de relaxao Problema: Qual a faixa de valores adequados para R na figura acima , um oscilador de relaxao? O resistor de carga deve ser suficientemente pequena para fornecer corrente suficiente para elevar o nodo para V P do ponto de pico (Figura anterior ) durante o carregamento do condensador. Uma vez que V P atingido, a tenso nodo diminui com o aumento da corrente (resistncia negativa), que move o ponto de operao para o vale. o trabalho do capacitor para fornecer o vale corrente I V. Uma vez que descarregada, a ponto de funcionamento volta redefine a inclinao para cima, para o ponto de pico. A resistncia deve ser grande o suficiente para que ele nunca ir abastecer o alto vale do corrente I P. Se a resistncia de carga j que poderia fornecer mais corrente, o resistor iria fornecer o vale corrente aps o condensador foi descarregado eo ponto de funcionamento

nunca repor de volta para a condio de alta resistncia esquerda do ponto de pico. Ns selecionamos o mesmo V BB = 10V usado para o exemplo transistor unijunction. Ns selecionamos os valores de R1 e R2 de modo que de cerca de 2/3. Calculamos e V S. O equivalente paralelo de R1, R2 R G, que s usado para fazer selees da Tabela abaixo . Juntamente com V = S 10, o valor mais prximo ao nosso 6,3, encontramos V T = 0,6 V, na Tabela abaixo e calcular V P.

Ns tambm encontrar I P e I V, o pico e as correntes do vale, respectivamente na Tabela abaixo . Ns ainda precisamos de V V, a tenso vale. Utilizou-se 10% de V1V = BB, no exemplo unijunction anterior.Consultar a folha de dados, encontramos a tenso direta V F = 0.8V menos eu F = 50mA. O vale corrente I V= 70A muito menos do que eu F = 50mA. Portanto, V V deve ser inferior a V F = 0.8V. Quanto menos?Para ser seguro montamos V V = 0V. Isto ir aumentar o limite inferior da gama resistor um pouco.

Escolhendo R> 143K garantias de que o ponto de operao pode redefinir a partir do ponto vale aps a alta capacitor. R