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Universidade Federal do Rio de Janeiro Universidade Federal do Rio de Janeiro Escola Politécnica Escola Politécnica Departamento de Engenharia Elétrica (DEE) Departamento de Engenharia Elétrica (DEE) Eletrônica I-C Eletrônica I-C EEE333 / EEL338 EEE333 / EEL338 Maurício Cagy Programa de Engenharia Biomédica (PEB)

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Universidade Federal do Rio de JaneiroUniversidade Federal do Rio de JaneiroEscola PolitécnicaEscola Politécnica

Departamento de Engenharia Elétrica (DEE)Departamento de Engenharia Elétrica (DEE)

Eletrônica I-CEletrônica I-CEEE333 / EEL338EEE333 / EEL338

Maurício Cagy

Programa de Engenharia Biomédica (PEB)

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BibliografiaBibliografiaDesoer, C.A., Kuh, E.S., Basic Circuit Theory,

McGraw Hill, 1967.

Sedra, A.S., Smith, K.C., Microelectronic Circuits, 3rd. ed., Harcourt Brace College Publishers, 1991.

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Temas GeraisTemas GeraisRevisão dos elementos discretos lineares e

Teoria de Circuitos;Diodos:

– de junção e especiais;– circuitos com diodos: retificadores não

controlados; fontes de tensão reguladas.

Transistores:– bipolares; efeito de campo;– Amplificadores para pequenos sinais;– Amplificadores de potência;– Circuitos chaveados a transistores.

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AbordagensAbordagens

Dimensões comparáveis ao menor comprimento de onda () dos sinais de um circuito (ex.: linhas de transmissão):– Modelos de parâmetros distribuídos;– Leis de Maxwell;

Dimensões << :– Modelos de parâmetros concentrados;– Leis de Kirchhoff.

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Grandezas FundamentaisGrandezas FundamentaisTensão (diferença de potencial – d.d.p.):

grandeza escalar relacionada ao campo elétrico – unidade: volt (V);

Corrente: escalar relacionada ao fluxo de carga elétrica – unidade: ampère (A);

Potência: taxa de variação da Energia – unidade: watt (W): ;

Energia: trabalho realizado pela corrente – unidade: joule (J): .

)()()( titvtP

dttPtUt

0

00 )()(

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Definições IniciaisDefinições Iniciais

Nó - qualquer ponto do circuito em que dois ou mais terminais se liguem;

Ramo – caminho único entre dois nós consecutivos;

Malha ou Laço - qualquer caminho fechado seguido sobre ramos de um circuito.

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Leis de KirchhoffLeis de KirchhoffLei de Kirchhoff de Tensão (LKT ou KVL):

– A soma das tensões em uma malha, devidamente orientadas, é nula;

Lei de Kirchhoff de Corrente (LKC ou KCL):– A soma das correntes que entram em um nó é nula.

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Fontes Independentes...Fontes Independentes...Fonte Independente de Tensão:

Pilha / Bateria Fonte DC (CC) Fonte AC

Fonte Independente de Corrente:Fonte DC (CC) ou AC

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Elementos BásicosElementos Básicos

Símbolo Geral Linear

Resistor VR = f (iR) VR = R iR

Capacitor

Indutor

t

CCC dtiC

VV0

1)0( dtigV CC

dt

dih

dt

dhV L

iH

L

dt

diLV L

L

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Associações de Fontes de TensãoAssociações de Fontes de Tensão

Associação em série:Veq = V1 + V2:

Associação em paralelo:Só é válida quando V1 = V2 = Veq, caso contrário, burla a

LKT.

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Associações de Fontes de CorrenteAssociações de Fontes de Corrente

Associação em série:Só é válida quando I1 = I2 = Ieq, caso contrário, burla a

LKC.

Associação em paralelo: Ieq = I1+I2:

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Associações de Resistores LinearesAssociações de Resistores Lineares

Associação em série:Req = R1 + R2 + ... + Rn

Associação em paralelo: ;

Geq = G1 + G2 + ... + Gn

neq RRRR

1...

111

21

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Associações de Capacitores LinearesAssociações de Capacitores Lineares

Associação em série: ;

Seq = S1 + S2 + ... + Sn

VCeq(0) = VC1(0)+...+VCn(0)

Associação em paralelo:Ceq = C1 + C2 + ... + Cn;

VCeq(0) = VC1(0) = ... = VCn(0)

neq CCCC

1...

111

21

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Associações de Indutores LinearesAssociações de Indutores Lineares

Associação em série:Leq = L1 + L2 + ... + Ln;

iLeq(0) = iL1(0) = ... = iLn(0).

Associação em paralelo: ;

eq = 1 + 2 + ... + n;

iLeq(0) = iL1(0) + ... + iLn(0).

neq LLLL

1...

111

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Transformador IdealTransformador IdealRelação entre tensões e número de espiras nos

enrolamentos primário e secundário:

Conservação da potência:

Símbolo:

1

2

1

2

022

011

),sen()(

),sen()(

N

N

A

A

tAtv

tAtv

)()()()( 2211 titvtitv

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Impedância ElétricaImpedância ElétricaFontes senoidais...

– Elementos simples operando em regime permanente:

Resistor Capacitor Indutor

; ; ; .

)cos()( 0tti )cos()( 0tRtvR

)cos()sen()cos()( 201

01

01

00

ttdtttv CCCC

)cos()sen()( 20000)cos( 0 tLtLLtv dt

tdL

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Fasores e Números ComplexosFasores e Números ComplexosSenóides como exponenciais complexas:

Resistor Capacitor Indutor

; ;

;

.

)(Re)cos()()( 00 tittieti Ctj

C

)()cos()( 0 tiRtRtvR

)(Re)(

Re)cos()(00

201

0ti

C

j

Cj

tittv C

CCC

)(Re)cos()( 0200 tiLjtLtv CL

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Impedância e AdmitânciaImpedância e Admitância Impedância = Resistência + Reatância:

Resistores: resistência R (real); Indutores: reatância indutiva XL() = L – imaginária positiva;

Capacitores: reatância capacitiva XC() = 1/(C) – imaginária negativa.

Associação em série: Z() = R + j (XL - XC) (soma fasorial).

Admitância = Condutância + Susceptância (“permitância”): Resistores: condutância G (real); Indutores: susceptância indutiva BL() = 1/(L) – imaginária negativa;

Capacitores: susceptância capacitiva BC() = C – imaginária positiva.

Assoc. em paralelo: Y() = G + j (BC - BL) (soma fasorial).

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Voltando ao Circuito RC...Voltando ao Circuito RC...– Entrada [E(t)]: ;

– Saída [VC(t)]: ;

Em regime permanente:

– Função de Transferência (é função de ):

0),cos()( 1 ttAtE

0),cos(cos)()()( 2

1

2

ttAeAtvtvtvt

RCph

)cos()( 2 tAtv

RCZjXH

Z

X

A

A

RH

RH

C

C

C

C

Cj

Cj

1tan)()(

,)(

)(

)(1

2

1

2

212

1

212

11

2)( C

C

R

AA

RC 1

tan 12

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Equivalentes Thévenin e NortonEquivalentes Thévenin e NortonSeja uma rede linear “de-uma-porta”

qualquer:

– Caso os componentes passivos sejam puramente resistivos:Zeq = Req;

000

,,

ABVNiABTh

Fontes

ABeq iIVV

i

VR

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E se houver um elemento não-linear?E se houver um elemento não-linear?Abordagens:

– Isolar o elemento não-linear e reduzir toda a parte linear a um Equivalente Thévenin ou Norton:

Ex.:

– Utilizar uma aproximação linear do elemento não-linear:modelos simplificados de uso geral;modelos para pequenos sinais...

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O Diodo SemicondutorO Diodo SemicondutorJunção P-N:

– Operação:Equação geral:

onde:• IS – corrente de saturação ou de escala,

da ordem de 10-15 ~ 10-9 A (dobra apro-ximadamente a cada aumento de 5°C);

• VT – tensão térmica 26 mV a 25°C (kT/q);

• n 2 para diodos discretos e 1 paradiodos integrados.

• Para cada década de aumento de corrente,aumento de cerca de 60 mV (n=1) ou120 mV (n=2) na tensão direta;

• VD entre cerca de 0,6 e 0,8 V na gama de operação de um diodo.

)1( T

D

Vn

V

SD eII

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Diodo – Modelos LinearesDiodo – Modelos Lineares

Modelo de Pequenos Sinais:

D

T

I

Vnrd

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Tipos de DiodoTipos de DiodoPolarizações de operação:

– Direta / reversa: Genérico (Vd 0,7V); Schottky (metal-semicondutor; Vd 0,3V); Túnel (GHz, efeitos quânticos);

– Direta: Schokley (PNPN - pulsos); LED (Vd depende da cor);

– Reversa: Fotodiodo; Varicap;

– Ruptura: Zener.

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosRetificador de Meia-Onda:

– Tensão inversa de pico: VIp = VSp

00

0

),(

,0

DSDSd

out

DSout

VVVVrR

RV

VVV

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosRetificador de Onda Completa:

– Transformador com tomada central

– Tensão inversa de pico: VIp = 2VSp – VD0

00

0

),(

,0

DSDSd

out

DSout

VVVVrR

RV

VVV

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosRetificador de Onda Completa:

– Ponte de diodos

– Tensão inversa de pico: VIp = VSp – 2VD0 + VD0

= VSp – VD0

00

0

2),2(

2,0

DSDSd

out

DSout

VVVVrR

RV

VVV

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosRetificador + Filtro Capacitivo:

– Capacitor C em paralelo com a carga R– Meia Onda Onda Completa:

rpLDP

rpLDM

pr

VVIi

VVIi

RCf

VV

/221

/21

)2/(21

)2/(1

2

rpLDP

rpLDM

pr

VVIi

VVIi

RCf

VV

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosRegulador Zener:

– Análise geral (via Thévenin):

– Regulação de linha:

– Regulação de carga:

LZR

RSZZZZL

iii

RiVriVVV

0

)//(0 RrirR

rV

rR

RVV ZL

Z

ZS

ZZL

Z

Z

S

L

rR

r

V

V

)//( RrI

VZ

L

L

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosCircuitos Limitadores ou Ceifadores (Clipping):

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosCircuitos Grampeadores (Clamping):

– Grampeador positivo:

– Grampeador negativo:

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Aplicações de DiodosAplicações de DiodosDobradores de Tensão:

– Meia onda ou “em cascata”:

– Onda completa:

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Aplicações de DiodosAplicações de Diodos

Multiplicador de Tensão:

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Redes de Duas PortasRedes de Duas PortasGenéricas vs. Lineares:

– Parâmetros-y:

– Parâmetros-z:

– Parâmetros-h:

– Parâmetros- g:

2221212

2121111

VyVyI

VyVyI

2221212

2121111

IzIzV

IzIzV

2221212

2121111

VhIhI

VhIhV

2221212

2121111

IgVgV

IgVgI

01

111

2

I

V

Ig

02

112

1

V

I

Ig

01

221

2

I

V

Vg

02

222

1

V

I

Vg

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AmplificadoresAmplificadoresRedes de duas portas (idealmente, unidirecionais) que

visam aumentar a magnitude de um sinal preservando sua morfologia...

Simbologia:

– Ganhos: de Tensão: , de Corrente: , de Potência:

– Amplificador de Tensão ideal: g11=0, g12=0, g22=0, g21=Av.

i

ov V

VA

i

oi I

IA iv

ii

oop AA

IV

IVA

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AmplificadoresAmplificadoresRepresentação do Ganho em decibéis (dB):

– Ganho de tensão = 20log10(|Av|) dB;

– Ganho de corrente = 20log10(|Ai|) dB;

– Ganho de potência = 10log10(Ap) dB.

– Não confundir valores negativos em Ax e em dB!

Se o ganho de potência é maior que 1 (> 0 dB):– Potência entregue à carga > potência recebida da fonte...– Necessidade de fonte externa:

Pdc = V1 I1 + V2 I2;

Pdc + PI = PL + Pdiss; Eficiência:

%100dc

L

P

P

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AmplificadoresAmplificadoresSaturação:

– Operação:

vi

v A

Lv

A

L

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AmplificadoresAmplificadoresNão-Linearidade e Polarização (Biasing):

– Operação: Vi(t) = vi(t) + vi0;

Vo(t) = vo(t) + vo0;

vo(t) Av· vi(t) :

Qi

ov dv

dvA

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Modelos para AmplificadoresModelos para AmplificadoresTipo Modelo Parâmetro de Ganho Características

Ideais

Amplificador de Tensão

Ganho de tensão de circuito aberto

Ri =

Ro = 0

Amplificador de Corrente

Ganho de corrente de curto-circuito

Ri = 0

Ro =

Amplificador de Transcondutância

Transcondutância de curto-circuito

Ri =

Ro =

Amplificador de Transresistência

Transresistência de circuito aberto

Ri = 0

Ro = 0

)V/V(0

oii

ovo v

vA

)A/A(0

ovi

ois i

iA

)A/V(0

ovi

om v

iG

)V/A(0

oii

om i

vR

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AmplificadoresAmplificadoresExemplos:

– Cascateamento de três estágios de amp. de tensão:

– Transistor bipolar (modelo simplificado de pequenos sinais):

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AmplificadoresAmplificadoresResposta em freqüência:

– Ilustração com base no Amp. de Tensão:

– Largura de banda (bandwidth - BW):

pontos de 3dB...

)sen()( tVtv ii )sen()( tVtv oo

)()(

)()(

T

V

VT

i

o

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AmplificadoresAmplificadoresResposta em freqüência:

– Exemplo – acoplamento DC (filtro passa-altas):

io = Gm.vi