Aula 01 JFET – Transistor de Efeito de Campoelo2eng/Aula_01.pdf · Slide 6 • Admitindo uma...
-
Upload
nguyenphuc -
Category
Documents
-
view
215 -
download
0
Transcript of Aula 01 JFET – Transistor de Efeito de Campoelo2eng/Aula_01.pdf · Slide 6 • Admitindo uma...
Aula 01JFET – Transistor de
Efeito de Campo(pág. 174 a 179)
Prof. Dr. Aparecido NicolettPUC-SP
Construção e Características do JFETSlide 1
• Dispositivo de três terminais.
• Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.
IE
• TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))
• FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))
TBJ x FETSlide 2
<>Tamanho
><Estabilidade
<>Ganho de tensão
<>Controle de corrente de saída.
<>Sensibilidade à temperatura
><Impedância de entrada
FETTBJCaracterísticas
Construção do JFET Slide 3
• Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.
Analogia de funcionamentoSlide 4
JFET (canal N) com polarizaçãoSlide 5
• O fluxo de carga entre fonte e dreno é relativamente irrestrito e limitado somente pela resistência do canal N.
• A região de depleção é mais larga próximo do dreno, pois a polarização reversa dreno/porta é maior que a polarização reversa porta/fonte.
VD > VS
VGS = 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠ 0 A
Slide 6
• Admitindo uma resistência uniforme do canal N, a variação dos potenciais reversos podem ser observados na figura.
• Próximo à fonte, a queda de tensão é menor (menor resistência) e próximo do dreno, a queda de tensão é maior (maior resistência).
• Como a junção PN está sempre polarizada reversamente, a corrente de porta IG é sempre zero (IG = 0 A)
Slide 7 IDS x VDS (VGS = 0 V)
Região de Saturação
Região de Triodo
Região de Corte
Pinçamento – “Pinch-off”Slide 8
• Apesar do estrangulamento, ID ≠ 0 A. Os portadores passam através da região de depleção. Nesta condição, IDS passa a ser constante (IDS = cte na saturação).
VDS ↑ → Rch ↑→ IDS = cte, característica de uma fonte de corrente.
Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e VDS > Vp.
Slide 9
• A polarização negativa de VGS, aumenta as camadas de depleção, diminuindo a “área” de passagem da corrente.
• O valor de VGS que resulta em ID = 0 A é definido como Vp (VGS = Vp).
VD > VS
VGS < 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠ 0 A
Curvas Características do JFET canal NSlide 10
IDSS = 8 mA
Vp = - 4 V
Resistor controlado por tensãoSlide 11
[5.1]2
PGS
od
)VV(1
rr−
=
• Na região ôhmica, o JFET pode ser utilizado como um resistor controlado por tensão.
ro = resistência com VGS = 0 V
rd = resistência específica para um certo VGS
JFETS canal PSlide 12
Características do JFET canal PSlide 13
Símbolos para o JFETSlide 14
Canal N Canal P
ResumoSlide 15