CE2 Experimento 5 Caracterização TBJ

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  • 7/24/2019 CE2 Experimento 5 Caracterizao TBJ

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    Circuitos Eletrnicos 2EXPERIMENTO 05

    Caracterizao de Transistores Bipolares

    1 - Objetivos

    Os experimentos de laboratrio aqui apresentados tm por objetivo familiarizar-se com o estudo das caractersticas em corrente contnua do transistor bipolare tambm do seu funcionamento como amplificador no modo Emissor Comum.

    2 - Experimento

    2.1 Curvas caractersticas do BJT

    Utilize o circuito mostrado na figura 1 para obter algumas caractersticas dotransistor bipolar CI 3046 . Use qualquer um dos transistores do CI, masmantenha o pino 13 aterrado durante todo o experimento.

    Figura 1 Polarizao do transistor bipolar

    a) Fixe as tenses VDD e V CE em 2,5V e varie a tenso V BE (utilizando opotencimetro R2 de 4,7 k) at que I C = 1mA. Anote o valor de V BE = V BE0 .Mea as tenses V BE e V CE usando os dois canais do osciloscpio.

    b) Varie o valor de V CE e preencha a coluna central da Tabela 1 abaixo.

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    c) Ajuste novamente V CE = 2,5V e, usando o potencimetro, ajuste V BE = V BE0 -60mV. Varie o valor de V CE e preencha a primeira coluna da Tabela 1.

    d) Repita o procedimento do Item c) ajustando o valor de V BE para os demaisvalores mostrados na Tabela 1.

    VCE (V)IC(mA)

    VBE0 - 60mV V BE0 - 30mV V BE0 VBE0 + 30mV V BE0 + 60mV0,05

    0,08

    0,1

    0,2

    0,5

    1,0

    2,5

    5,0

    7,5

    Tabela 1. Corrente Ic para diferentes valores de V CE e V BE .

    2.2 O TBJ operando como Amplificador em modo Emissor Comum.

    Um transistor pode ser utilizado no projeto de um amplificador de sinal CA, se oponto quiescente estiver localizado na regio ativa.

    Figura 2 Amplificador do tipo emissor comum

    a) Monte o circuito da Figura 2. Com o sinal de entrada desconectado, ajuste opotencimetro de 4,7k para que seja obtida IC = 1mA. Com o uso do geradorde funes, aplique uma onda senoidal na base do transistor com 20mVpp efrequncia igual a 5kHz. Registre as formas de onda de entrada e sada e oganho obtido experimentalmente.

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    3 - Questionrio

    3.1 - Curvas caractersticas do BJT

    1) Esboce as curvas de I C x VCE , para cada valor de V BE , usando oprograma mais conveniente.

    2) Esboce a curva de transcondutncia I C x V BE para V CE =2,5V. Determinegraficamente a transcondutncia (gm) do transistor no ponto deoperao I C=1mA. Indique os pontos da curva que voc utilizou.Compare-o com o valor esperado.

    3.2 - O TBJ operando como Amplificador em modo Emissor Comum.

    1) Apresente as formas de onda de entrada e sada do amplificador edetermine o valor do ganho.

    2) Compare o ganho experimental com o ganho terico (apresentar oequacionamento).