estudo de junções aeronáuticas híbridas (metal-compósito) unidas ...
EFEITOS DA BAIXA ALTURA DO POTENCIAL DA BARREIRA EM JUNÇÕES TÚNEL MAGNÉTICAS
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EFEITOS DA BAIXA ALTURA DO POTENCIAL DA BARREIRA EM JUNÇÕES TÚNEL MAGNÉTICAS
E. S. Cruz de Gracia,1 L. S. Dorneles,2 L. F. Schelp,2 S. R. Teixeira1 e M. N. Baibich,1
Trabalho parcialmente financiado pelo Conselho Nacional para o Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq), Centro Latino-Americano de Física (CLAF) e pela Fundação Cruz
1 Instituto de Físca – UFRGS, Porto Alegre, RS, Brasil2 Departamento de Física- UFSM, Santa Maria, RS, Brasil
ACRÔNIMOS
MTJ (Junção túnel magnética)
TMR (Magnetorresistência túnel)
DOS (Densidade de estados)
SDT (Tunelamento dependente de spin)
TUNELAMENTO FAVORECIDO QUANDO F1 E F2 ESTÃO PARALELOS
MRT (TMR)
HOJE: Esquema simplificado de uma MTJ
Proceedings of the IEEE V.91 N. 05 p. 661. May (2003)
HOJE: MTJs no mercado de tecnologia MRAM
IBM J. RES. & DEV. V. 50 N. Jan (2006)
Matriz de MTJs utilizadas em arquitetura de MRAM
Sharma et al. PRL V. 82 N. 3 p. 616 (1999)
Barreira TaOx (φ = 0,4 eV)
Barreira Al2O3 (φ ≥ 2,0 eV)
T = 297 K
Motivação: A contribuição da barreira
Motivação: A contribuição da barreira
VC < VB < VA Tensão crítica (TMR=0)
TMRC < TMRB < TMRA Magnetorresistência túnel
φC < φB < φA Altura relativa da barreira
Li et al. PRB V.69 .0544108p. (2004) e Ren et al. J. Phys.: Condens. Matt. 17 p. 4121 (2005)
Metodologia experimental: Técnica de deposição
Câmara para desbastamento iônico
Metodologia experimental: Formatação das MTJs
Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/Al(16) + O2(X)/TAM//Co(420)/ Cu(100)
Metodologia experimental: Formatação das MTJs
Metodologia experimental: Transporte eletrônico
Ângelo Morrone LAM-IF UFRGS
Resultados e discussão: Curva I-V experimental e calculada
-0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6-1200
-800
-400
0
400
800
1200
95 K
Corr
ente
()
Tensão Aplicada (V)
300 K
Densidade da Corrente de Tunelamento (direção reversa):
- t .-
t
.(V,T)J
r
r2
1
1212221 0251 exp 10x24849 7
Tt V t .- V
r
-
rr
12
2
1
1212
22910x31 0251 exp
1. Barreiras com baixa assimetria (≈ 0,2 eV)2. Baixa altura da barreira (≈ 1,0 eV)3. Área efetiva (10-8 até 10-9 cm2) menor que a área geométrica
(4x10-4 cm2)4. Espessura efetiva da barreira de 9 Å até 12 Å
Resultados e discussão: Os valores
Para uma distância de 50 mm entre o canhão e o substrato,as MTJs mostraram:
Resultados e discussão: Tunelamento quântico através de Hot Spots
Binnig e Rohrer Rev. Mod. Phys. V. 59 p. 615 (1987)
Perfil da corrente de tunelamento para uma junção túnel
Resultados e discussão:Duas regiões magnéticas diferentes
Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/ Al(16) + O2 (30 s) /TAM/Co(420)/Cu(100)
-200 -150 -100 -50 0 50 100 150 200
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
M/Ms
Campo Magnético Aplicado (Oe)
Ni81
Fe19
Co
Resultados e discussão:Válvula magnética
RAP > RP
T = 300 K
Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/ Al(16) + O2 (45 s) /TAM/Co(420)/Cu(100)
-100 0 100
260
262
264
266
Campo Magnético Aplicado (Oe)
R ()
Ni81
Fe19
Co
Resultados e discussão: Inversão da magnetorresistênciatúnel
P
P - AP TMRR
RR
Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/ Al(16) + O2 (30 s) /TAM/Co(420)/Cu(100).
-60 -30 0 30 60
0
2
4
6
-60 -30 0 30 60
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
M /
MS
Applied Magnetic Field ( Oe )
(MR
%) H
max
Campo Magnético Aplicado (Oe)
+ 0 mV +100 mV +151 mV +251 mV +300 mV +350 mV
T = 77 K
Resultados e discussão: Inversão da magnetorresistênciatúnel
-400 -200 0 200 400
0
2
4
6
8
(MR
%) H
max
Voltage (mV)
Resultados e discussão: Inversão da magnetorresistênciatúnel
RAP < RP
-100 -50 0 50 100605
610
615
R ()
Campo Magnético Aplicado (Oe)
+350 mV
Resultados e discussão: A DOS massiva
500 mV
Resultados e discussão: A contribuição da baixa altura da barreira à baixa temperatura
Li et al. (2004) e Ren et al. (2005): A forte dependência da altura da barreira de potencial com a tensão aplicada, é responsável pela forte dependência da TMR com a tensão. Desta forma, é possível observar o efeito da altura sobre a TMR em função da tensão.
) - 2- exp TMR0
f (E - eVf (E) dx,X,V)K (E,V), V) D (E (EAdEt
xxxk
x
l
),,( 2- exp
16
t
022
C22
B
CB
CB
CB
CB
dxVXEK
KKKK
KKKKT x
xx EeV
t
xm, X,VK (E - - -
2 ) 121
2
1
2
Coeficiente de Transmissão Vetor de Onda da Barreira
Resultados e discussão: A contribuição da baixa altura da barreira à baixa temperatura
Vcri ≈250 mV
- 2
2
1
0
2
0crieV
V 5,02
1
V 0,1
V 0,7 2
4,14,1)Co(
0
eeV
E
e
e
x
2222
- - - - ) 2
eVEeVE
mED xxx ,V(
Fator de Coerência Quântica
Resultados e discussão: A contribuição da baixa altura da barreira à baixa temperatura
1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.50.7 0.8 0.9 1.0
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
(eV)
VC (
V)
(eV)
Conclusões:
As MTJs foram depositadas sob condições de oxidação que garantem:
- Baixa altura da barreira- Baixa assimetria da barreira- Forte dependência da TMR com a tensão aplicada-Tunelamento quântico como mecanismo de transporte eletrônico
Produção das Amostras
Isto possibilitou:- Inversão da TMR com a tensão aplicada à 77 K
Conclusões:
Inversão da TMR
- A DOS massiva está em acordo com o fator A(Ex ,V) mostrando que não há inversão da população de spin
- O fator de coerência quântica D(Ex ,V) é o único termo capaz de diminuir e inverter a TMR devido à tensão aplicada e à baixa altura da barreira
Portanto, podemos concluir que a inversão da TMR está em acordo com o modelo de Li et al. (2004) e Ren et. (2005)
Metodologia experimental: Controle do alinhamento magnético
-40 -20 0 20 40
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
M/Ms
H Paralelo ao Eixo Fácil H Perpendicular ao Eixo Fácil
Campo Magnético Aplicado (Oe)
BAK 600 Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/Al(16) + O2(X)/TAM//Co(420)/ Cu(100)
BAS 450PM Ta(98 Å)/Fe(433)/TM/SiO2(100)/TM/Co50Fe50(402)/Cu(100)
Perspectivas:
- Depositar o sistema Py/TaOx/Co sob nossas condições de oxidação para estudar a inversão da TMR numa maior faixa de tensões aplicadas
- Depositar os sistemas Py/TaOx/AlOx/Co e Py/AlOx/TaOx/Co para estudar os efeitos na TMR provocados pela posição da barreira. Segundo a teoria de Li et al. e Ren et al. ambas as curvas de TMR devem apresentar uma inversão de simetria
Metodologia experimental: Calibração da Taxa
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
1000 Å
500 Å
100 Å
Refl
eti
vid
ad
e (
u. arb
.)
(°)
Camadas de FeEspessura Py
Ta (1,24 Å/s)
Metodologia experimental: Controle do alinhamento magnético
BAS 450PM Ta(98 Å)/Fe(433)/TM/SiO2(100)/TM/Co50Fe50(402)/Cu(100) BAK 600 Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/Al(16) + O2(X)/TAM//Co(420)/ Cu(100)
Metodologia experimental: Definindo as propriedades
Para uma distância de 50 mm entre o canhão e o substrato,as MTJs mostraram:
- Baixa altura da barreira- Baixa Assimetria- Forte dependência da TMR com a tensão aplicada
Canhão para Desbaste
Metodologia experimental: Definindo as propriedades
Fracamente Oxidada Oxidação muito forte
Du et al. Phy. Stat. Sol. A V.199 N.2 p.289 (2003)
CoFe/AlOx/Co T= 300 K
Metodologia experimental: Temperatura
Faixa de temperatura: 1,5 K até 300 K
Metodologia experimental: Campo magnético
Hmax ≈ 4,0 kOe
Resultados e discussão: Os valores tabelados
Barreira Simétrica Barreira Assimétrica
etric
Simmons Chow Chow
Tox(s) φo (eV) t AlOx (Å) φo (eV) Aeff (cm2) φ1 (eV) φ2 (eV)
30 0.7260.014 8.980.08 0.7780.017 (2.90.4) 10-9 1.2210.018 0.9850.014 30 0.7430.004 9.390.08 0.8270.006 (1.90.3) 10-9 1.2390.015 1.0320.019 30 0.8070.023 9.960.18 0.9140.035 (1.20.4) 10-8 1.2310.025 0.9900.011 45 0.8190.021 10.140.20 0.9260.032 (2.10.3) 10-8 1.2360.024 1.0020.023 45 0.7930.006 10.530.07 0.9450.013 (1.10.1) 10-8 1.2510.013 1.0180.022 60 0.8360.024 10.980.11 0.9900.017 (3.90.4) 10-8 1.2690.011 1.0340.017 60 0.8450.0009 11.710.20 1.0390.007 (3.50.7) 10-8 1.3080.029 1.0750.025
Parâmetros intrínsecos da barreira obtidos através de ajustes às curvas I-V usando o modelo deSimmons e Chow. Espessura efetiva da barreira (tAlOx ), altura do potencial da barreira (φ),área efetiva de tunelamento (Aeff) e tempo de oxidação (Tox). Curvas I-V medidas a 300 K e oseletrodos ferromagnéticos no estado de magnetização antiparalela.
Observa-se: 1. Barreiras com baixa assimetria2. Baixa altura da barreira3. Área efetiva (10-8 até 10-9 cm2) menor que a área geométrica (4x10-4 cm2)4. Espessura efetiva da barreira de 9 Å até 12 Å
Resultados e discussão:Duas regiões magnéticas diferentes
-100 0 100
-0.8
0.0
0.8
-50 0 50
-0.8
0.0
0.8
SiO2 (100 A)
Co50
Fe50
M/Ms
Campo Magnético Aplicado (Oe)
A) B)
Fe
Campo Magnético Aplicado (Oe)
M/Ms
AlOx (16 A)
Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/ Al(16) + O2 (30 s) /TAM/Co(420)/Cu(100)
Ta(98 Å)/Py(474)/Al(4)/TM/ Al(31) + O2 (60 s) /TAM/Co(420)/Cu(100)