FATEC FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO
TÉCNICAS DE EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DE PROCESSO (TEPP) Prof. Victor Sonnenberg
1o Experiência: Capacitor MOS
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso. Objetivo: Obtenção da curva Capacitância x Tensão (CV) em alta freqüência e a extração de parâmetros físicos e elétricos. Introdução: O capacitor MOS é constituído pela estrutura Metal-Óxido-Semicondutor como representado na figura 1.
Figura 1- Capacitor MOS e sua simbologia
A estrutura MOS é muito utilizada em circuitos digitais porém com a finalidade de ser porta de transistor MOS e não isoladamente, no entanto, o capacitor MOS isolado é muito utilizado como estrutura de caracterização de processo. Com o capacitor MOS pode-se extrair, eletricamente, parâmetros tais como: espessura do óxido, concentração de dopantes (não o perfil), tensão de banda plana (flat-band), tensão de limiar entre outros. A capacitância total é resultante da capacitância do óxido (Cox) em série com a do silício depletado (CD). O Cox é uma constante que depende da espessura do óxido e do material, normalmente óxido de silício (SiO2), sendo dada por
Cox
CD
VG
Óxido de silício
Silício
VG
Metal
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oxxoxε
=oxC
sendo εox é a permissividade do óxido (3,9x8,85x 10-14 F/cm para o SiO2) e xox é a espessura do óxido. O CD, no entanto, depende se o silício está invertido, depletado ou acumulado.
dsiε
=oxC sendo εSi é a permissividade do silício (11,7x8,85x 10-14 F/cm ) e d é a profundidade da região de depleção. Na acumulação, d=0, na inversão, d=dMAX, e na depleção, 0<d< dMAX. A figura 2 ilustra as curvas CV em alta e baixa freqüência para um capacitor MOS tipo P.
FB T
Baixa frequência
Alta frequência
CMax
CMin
CFB
V V VG
0
C
C =dQ
dVG
Figura 2- Curva CV de alta e baixa freqüência (Tipo P) Consultar o livro do Martino, capitulo 2.
Procedimento experimental: - Medir a curva CV de alta freqüência e extrair os parâmetros (preencher a tabela 1) nas
seguintes condições: Amostra 1 1) Da inversão para a acumulação com luz; 2) Da inversão para a acumulação sem luz; 3) Da acumulação para a inversão com luz; 4) Da acumulação para a inversão sem luz;
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- Medir a curva CV de alta freqüência e extrair os parâmetros na melhor condição analisada
anteriormente. Amostra 2 5) Da _____________ para a _____________ ____ luz; Dados: Porta de Alumínio e área 300x300µm. Anexar as curvas CV, medidas 1 e 2 juntas, 3 e 4 juntas e a 5 separada. Destacar nas
curvas os efeitos, luz, depleção profunda, Nit e Injeção lateral de elétrons.
Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Cmax ( ) Cmin ( ) xox ( ) dmax ( ) Na ( ) ΦMS ( ) VFB ( ) QSS/q ( ) Vt ( ) 1 2 3 4 5
Escreva as equações usadas acima, calculando os valores para a medida 2. Se necessário,
use folha extra ou o verso.
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- Medir a curva CV de baixa freqüência na amostra 1. Anexar as curvas CV, medida ___ (
a melhor condição) e a CV baixa freqüência juntas. Cuidado com o sinal da tensão aplicada. Questionário : 1) Desenhe o capacitor tipo N e as suas curvas características. Explique as regiões de
inversão, acumulação e depleção destacando-as nas curvas. ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
2) Descreva, sucintamente, o procedimento de medida da curva CV em alta freqüência (CVAF). Cite o equipamento, conexão das pontas de prova no capacitor (desenhe), valor da tensão inicial (positivo ou negativo), etc.
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
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3) Idem questão 2 para CVBF. ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
4) O que é depleção profunda? O que devemos fazer para eliminá-la.
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
5) Explique o efeito de injeção lateral de elétrons e o procedimento para evitá-lo.
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
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6) Porque devemos fazer a medida no escuro e o objetivo da caixa preta?
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
7) Porque devemos incidir luz sobre o capacitor antes do início da medida?
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
8) Explique o efeito do Nit (estiramento) e o procedimento para evitá-lo (processo)?
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Conclusões:
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
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2o Experiência: Determinação da Resistência de Folha e Largura de Linha
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.
Objetivo: Obtenção da resistência de folha e largura de linha. Introdução: Através da estrutura cruz-ponte da figura 1 (desenhe a estrutura) mede-se a resistência de
folha (Van der Pauw 1,2,4 e 5) e do resistor tipo ponte (2,3,5 e 6) mede-se a resistência.
Figura 1 – Estrutura cruz-ponte A resistência de folha (RF) é medida por
45
I12
V53,4
45I12
V
ln21
FR == π
Rotacionando-se a amostra em 90o e aplicando-se Ixx e medindo-se o Vyy obtém-se o RF2. A resistência de folha total é dada por
F2
2)R1(RR FF
F
+=
onde F é o fator de Van der Pauw para ajuste da desuniformidade.
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Medindo-se o valor do resistor tipo ponte por
56I
23V
R =
e considerando-se a equação de Ohm, calcula-se a largura efetiva da linha conhecendo-se o
comprimento L.
W
LR
A
LR F== ρ , portanto,
R
LRW F=
Procedimento experimental: - Medir as resistências de folha, rotacionando-se a amostra em 90o, e calcular a resistência
de folha total. Verificar o efeito da luz. Determinar RF para I=____mA. Anexar as curvas RF x I juntas.
RF1= _____________ unidade: ______ RF2= _____________ unidade: ______ RF = ______________ unidade: ______ - Medir o resistor tipo ponte e determinar a largura de linha W. Determinar R para
I=____mA. Anexar a curva R x I. Lmasc=200µm e Wmasc=15µm R= ______________ unidade: ______ W= ______________ unidade: ______ Conclusões:
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Cálculo de W:
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3o Experiência: Determinação da Resistência de Contato
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.
Objetivo: Obtenção da resistência de contato. Introdução: Através da estrutura Kelvin da figura 1 (desenhe a estrutura) mede-se a resistência de
contato. Desenhe a estrutura utilizada também.
Figura 1 – a) Estrutura Kelvin e b) estrutura utilizada A resistência de contato (Rc) é calculada através da equação
23
I14
VRc =
Procedimento experimental: - Medir a resistência de contato. Verificar o efeito da luz. Determinar Rc para I=____mA.
Anexar a curva Rc x I. Rc= _____________ unidade: ______ Conclusões: (Use o verso)
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4o Experiência: Diodo
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso. Objetivo: Caracterizar a junção PN através do diodo. Introdução: O diodo é constituído por uma junção PN conforme a figura 1. O diodo é um componente que, normalmente, não é utilizado isoladamente em circuitos digitais. No entanto, no processo MOS existem vários diodos inerentes devido as cavidades de fonte e dreno.
Figura 1 –Diodo integrado e simbologia.
O diodo ideal conduz corrente elétrica quando polarizado diretamente (com queda de tensão nula entre seus terminais) e não conduz quando polarizado reversamente. No entanto, o diodo real quando polarizado diretamente só conduz a partir de uma determinada tensão e quando polarizado reversamente possui uma pequena corrente elétrica e um limite máximo de polarização conhecido como tensão reversa máxima. A equação de corrente elétrica é dada pela equação 1.
−=
1nKTqV
e0
ID
I (1)
onde n é o fator de idealidade e KT/q é a tensão térmica (Para T=300K é igual a 25,8 mV).
N
P
A
K
K A
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A figura 2 (desenhe as curvas) ilustra as curvas do diodo real na escala linear e monolog, indicando os fatores de idealidade.
Figura 2 – Curvas linear e monolog do diodo real. Parâmetros importantes:
- Tensão de condução (VDO) é a tensão direta a partir da qual o diodo conduz corrente. Através da curva linear, este parâmetro pode ser extraído da interseção da reta tangente na
região linear da curva. - Resistência de corpo (RD) é a resistência entre os terminais do diodo após entrar em
condução. Através da curva linear, este parâmetro é obtido do coeficiente de inclinação da sua reta
tangente na região linear da curva. - Fator de idealidade (n) é o fator que verifica o quanto o diodo é bom ou não. Quanto mais
próximo de 1 melhor será o diodo. Para valores de tensão maiores do que 0,1V pode-se desprezar o menos 1 da equação do
diodo, portanto, o fator de idealidade será proporcional ao coeficiente de inclinação da reta tangente da curva monolog.
- Corrente reversa (I0) é a corrente no diodo quando polarizado reversamente. Este parâmetro é medido para uma determinada polarização, em geral VDD.
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Procedimento experimental: - Medir a curva IxV do diodo na polarização direta com e sem e luz, a corrente reversa para
Vr=VDD=2 e 5V e extrair os parâmetros conforme tabela 1:
Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Medida VDO ( ) RD ( ) n ( ) I0 (Vr=2V) ( ) I0 (Vr=5V) ( ) Sem luz Com luz XXXXXXX XXXXXXX Anexar as curvas IxV na escala linear (com e sem luz juntas) e monolog (com e sem luz
juntas). Escreva as equações usadas acima, calculando os valores nas condições com e sem luz. Conclusões:
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
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TÉCNICAS DE EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DE PROCESSO (TEPP)
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5o Experiência: Transistor NMOS
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.
Objetivo: Medir as curvas características do transistor NMOS e obter os principais parâmetros.
Introdução:
O transistor NMOS é constituído por duas regiões tipo N (dreno e fonte) e uma porta constituída pelo capacitor MOS, como representado na figura 1 (desenhe o transistor NMOS).
Figura 1 – Transistor NMOS
As curvas características do transistor NMOS estão representadas na figura 2 (desenhe as curvas e destaque as regiões de corte, tríodo e saturação).
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a) b) c) Figura 2 – Curvas a) IDS x VGS, b) LOG IDS x VGS e c) IDS x VDS.
Funcionamento do transistor: Verificar o livro do Martino.
Parâmetros importantes: - Tensão de limiar (VT) é a tensão aplicada na porta do transistor a partir da qual o canal está invertido e, dependendo se VDS está polarizado adequadamente, o transistor passará a conduzir. Através da curva IDS x VGS (VDS= 0,1V), este parâmetro é extraído da interseção da reta tangente a curva na região de maior transcondutância com o eixo das coordenadas ou fixando-se um nível de corrente (por exemplo: 10-7 W/L). - Transcondutância (gm) é extraído diretamente do coeficiente da reta tangente na curva IDS x VGS (VDS=0,1V).
VVGS
DS
DSV
Igm
1,0=∆∆
=
- Fator de ganho (β) é o fator de amplificação da corrente que depende da mobilidade do portador (µn), da espessura do óxido (xox) e das dimensões comprimento (L) e largura (W). Este parâmetro é extraído da transcondutância e da constante VDS conforme equação:
DSV / gm=β
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- Mobilidade (µno) é a mobilidade de elétrons, independente de campo, no canal do transistor NMOS. Após a extração do fator de ganho, este parâmetro é calculado pela equação:
W
L
Cox
maxβµ =no
- Degradação da mobilidade (θ) é o coeficiente de degradação que a mobilidade sofre pelo
campo elétrico vertical.
Vt)-(V1 GSθµµ
+= no
neff
- Corrente de fuga com o transistor cortado (IDSoff) é a corrente de dreno e fonte quando o transistor está cortado. Esta corrente será extraída no ponto de corte, normalmente, VGS= 0V. - Inclinação de sublimiar (S) é a taxa de variação da tensão por uma década de corrente na região de sublimiar (VGS<VT)
)Log(I)Log(I
VVS
D1D2
GS1GS2
−−=
- Corrente de saturação (IDsat) é a corrente máxima no transistor na saturação com
VGS=VDS=VDD. - Constante de efeito de corpo (γ) é um parâmetro que verifica o efeito do substrato na
tensão de limiar e se a concentração é ou não uniforme.
É extraída do coeficiente da reta tangente a curva VT x 2ΦF BSV+ .
- Comprimento efetivo de canal (Leff) é o valor real do comprimento de canal (Lmasc – ∆L). É extraído da curva gmmax x L através da cascata de transistores. Procedimento experimental: - Medir a curva IDS x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) com e sem luz. Anexar as curvas IDS x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) na escala linear (com e sem luz
juntas) e monolog (com e sem luz juntas). - Medir e anexar a curva IDS x VGS (VDS= 0,1V e para diferentes VBS) e a curva IDS x VDS
(para diferentes VGS).
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Dados do transistor: xox= ___________ L=______________ W=_____________ - Medir e anexar (juntas) a curva IDS x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) da cascata de
transistores. Anexar a curva gm x VGS (VDS= 0,1V e para VBS=0) juntas também. Dados do transistor: W=__________ L=_____,_____,_____,______ e _____ Extrair e determinar os parâmetros da tabela 1.
Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Medida VT
( ) IDSoff ( )
S ( )
gmmax ( )
β ( )
µno ( )
θ ( )
γ ( )
Na ( )
∆L ( )
Sem luz Com luz XXX XXX XXX XXX XXX
Escreva as equações usadas acima, calculando os valores nas condições sem e com luz. (Use
o verso)
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Anexar as curvas VT x 2ΦF BSV+ , VT x L e gmmax x L.
Conclusões:
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
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6o Experiência: Transistor PMOS
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.
Objetivo: Medir as curvas características do transistor PMOS e obter os principais parâmetros.
Introdução:
O transistor PMOS é constituído por duas regiões tipo P (dreno e fonte) e uma porta constituída pelo capacitor MOS, como representado na figura 1 (desenhe o transistor PMOS).
Figura 1 – Transistor PMOS
As curvas características do transistor PMOS estão representadas na figura 2 (desenhe as curvas e destaque as regiões de corte, tríodo e saturação).
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a) b) c) Figura 2 – Curvas a) IDS x VGS, b) LOG IDS x VGS e c) IDS x VDS.
Funcionamento do transistor: Verificar o livro do Martino.
Parâmetros importantes: - Tensão de limiar (VT) é a tensão aplicada na porta do transistor a partir da qual o canal está invertido e, dependendo se VDS está polarizado adequadamente, o transistor passará a conduzir. Através da curva IDS x VGS (VDS= -0,1V), este parâmetro é extraído da interseção da reta tangente a curva na região de maior transcondutância com o eixo das coordenadas ou fixando-se um nível de corrente (por exemplo: -10-7 W/L). - Transcondutância (gm) é extraído diretamente do coeficiente da reta tangente na curva IDS x VGS (VDS=-0,1V).
VVGS
DS
DSV
Igm
1,0−=∆∆=
- Fator de ganho (β) é o fator de amplificação da corrente que depende da mobilidade do portador (µp), da espessura do óxido (xox) e das dimensões comprimento (L) e largura (W). Este parâmetro é extraído da transcondutância e da constante VDS conforme equação:
DSV / gm=β
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- Mobilidade (µpo) é a mobilidade das lacunas, independente de campo, no canal do transistor PMOS. Após a extração do fator de ganho, este parâmetro é calculado pela equação:
W
L
Cox
maxβµ =po
- Degradação da mobilidade (θ) é o coeficiente de degradação que a mobilidade sofre pelo
campo elétrico vertical.
Vt)-(V1 GSθµ
µ+
= popeff
- Corrente de fuga com o transistor cortado (IDSoff) é a corrente de dreno e fonte quando o transistor está cortado. Esta corrente será extraída no ponto de corte, normalmente, VGS= 0V. - Inclinação de sublimiar (S) é a taxa de variação da tensão por uma década de corrente na região de sublimiar (VGS>VT)
)Log(I)Log(I
VVS
D1D2
GS1GS2
−−=
- Corrente de saturação (IDsat) é a corrente máxima no transistor na saturação com
VGS=VDS=-VDD. - Constante de efeito de corpo (γ) é um parâmetro que verifica o efeito do substrato na
tensão de limiar e se a concentração é ou não uniforme.
É extraído do coeficiente da reta tangente a curva VT x BSV2 +ΦF .
Procedimento experimental: - Medir a curva IDS x VGS (VDS= -0,1V e para VBS=0) com e sem luz. Anexar as curvas IDS x VGS (VDS= -0,1V e para VBS=0) na escala linear (com e sem luz
juntas) e monolog (com e sem luz juntas). - Medir e anexar a curva IDS x VGS (VDS= -0,1V e para diferentes VBS) e a curva IDS x VDS
(para diferentes VGS). Dados do transistor: xox= ___________ L=______________ W=_____________
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Extrair e determinar os parâmetros da tabela 1.
Tabela 1- Resultados (coloque a unidade ao lado do parâmetro). Medida VT
( ) IDSoff
( ) S
( ) gmmax ( )
β ( )
µpo ( )
θ ( )
γ ( )
Nd ( )
Sem luz Com luz XXX XXX XXX XXX
Escreva as equações usadas acima, calculando os valores nas condições sem e com luz.
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Anexar a curva VT x BSV2 +ΦF .
Conclusões:
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
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7o Experiência: Inversor CMOS
Nome Número OBS. PREENHER O RELATÓRIO EM LETRA LEGÍVEL OU DE FORMA. Se necessário, use folha extra ou o verso.
Objetivo: Medir a curva de transferência do inversor CMOS e obter os principais parâmetros.
Introdução: O inversor CMOS é constituído por um transistor NMOS e um transistor PMOS conforme
figura 1.
VDD
VE VS
PMOS
NMOS
S
S
G D
Figura 1 – Inversor CMOS.
A curva de transferência do inversor está representada na figura 2, onde também é
demonstrado alguns parâmetros importantes como a margem de ruído alto (MRH) e a margem de ruído baixo (MRL).
A tensão de inversão VINV é dada pela equação 1.
P
N1
P
NTnVTpVDDV
INVV
ββ
ββ
+
++=
(1)
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VS
VE
V = VDD
VDD
VINV
VV
MR
V = 0
IHIL
OH
OL
MRL
H
dVS
dVE
= -1
Figura 2 – Curva de transferência do inversor CMOS
Procedimento experimental: - Medir e anexar (juntas) as curvas de transferência do inversor CMOS para VDD=2 e 3V e
obter a tensão de inversão experimental. - Medir e anexar as curvas IDS x VGS (VDS= CTE e VBS=0) dos transistores e obter a tensão
de limiar e o fator de ganho. Dados dos transistores: NMOS: L=______________ VT= ____________ unidade:__________ W=_____________ gmmax= __________ unidade:__________ PMOS: L=______________ VT= ____________ unidade:__________ W=_____________ gmmax= __________ unidade:__________ Calcular a tensão de inversão pela equação 1 ( use o verso) com os parâmetros VT e gmmax
extraídos e comparar com o valor experimental. VDD (V) VINV experimental VINV calculado
2 3
Conclusões:
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________________
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