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    1. COMPONENTESSEMICONDUTORESRPIDOSDEPOTNCIA

    1. DiodosdePotncia

    UmdiodosemicondutorumaestruturaPNque,dentrodeseuslimitesdetensoedecorrente,permiteapassagemdecorrenteemumnicosentido.Detalhesdefuncionamento,emgeraldesprezadosparadiodosdesinal,podemsersignificativosparacomponentesdemaiorpotncia,caracterizadosporumamaiorrea(parapermitirmaiorescorrentes)emaiorcomprimento(afimdesuportartensesmaiselevadas).Afigura1.1mostra,simplificadamente,aestruturainternadeumdiodo.

    Figura1.1.Estruturabsicadeumdiodosemicondutor

    AplicandoseumatensoentreasregiesPeN,adiferenadepotencialaparecernaregiodetransio,umavezquearesistnciadestapartedosemicondutormuitomaiorqueadorestantedocomponente(devidoconcentraodeportadores).

    Quandosepolarizareversamenteumdiodo,ouseja,seaplicaumatensonegativanoanodo(regioP)epositivanocatodo(regioN),maisportadorespositivos(lacunas)migramparaoladoN,eviceversa,demodoquealarguradaregiodetransioaumenta,elevandoabarreiradepotencial.

    Pordifusoouefeitotrmico,umacertaquantidadedeportadoresminoritriospenetranaregiodetransio.So,ento,aceleradospelocampoeltrico,indoataoutraregioneutradodispositivo.Estacorrentereversaindependedatensoreversaaplicada,variando,basicamente,comatemperatura.

    Seocampoeltriconaregiodetransioformuitointenso,osportadoresemtrnsitoobterograndevelocidadee,aosechocaremcomtomosdaestrutura,produzironovosportadores,osquais,tambmacelerados,produziroumefeitodeavalanche.Dadooaumentonacorrente,semreduosignificativanatensonajuno,produzseumpicodepotnciaquedestriocomponente.

    Umapolarizaodiretalevaaoestreitamentodaregiodetransioereduodabarreiradepotencial.Quandoatensoaplicadasuperarovalornaturaldabarreira,cercade0,7VparadiodosdeSi,osportadoresnegativosdoladoNseroatradospelopotencialpositivodoanodoeviceversa,levandoocomponenteconduo.

    Naverdade,aestruturainternadeumdiododepotnciaumpoucodiferentedestaapresentada.ExisteumaregioNintermediria,combaixadopagem.Opapeldestaregiopermitirao

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    componentesuportartensesmaiselevadas,poistornarmenorocampoeltriconaregiodetransio(quesermaislarga,paramanteroequilbriodecarga).

    Estaregiodepequenadensidadededopantedaraodiodoumasignificativacaractersticaresistivaquandoemconduo,aqualsetornamaissignificativaquantomaiorforatensosuportvelpelocomponente.Ascamadasquefazemoscontatosexternossoaltamentedopadas,afimdefazercomqueseobtenhaumcontatocomcaractersticahmicaenosemicondutor(comoseveradiantenosdiodosSchottky).

    Ocontornoarredondadoentreasregiesdeanodoecatodotemcomofunocriarcamposeltricosmaissuaves(evitandooefeitodepontas).

    Noestadobloqueado,podeseanalisararegiodetransiocomoumcapacitor,cujacargaaquelapresentenaprpriaregiodetransio.

    Naconduonoexistetalcarga,noentanto,devidoaltadopagemdacamadaP+,pordifuso,existeumapenetraodelacunasnaregioN.Almdisso,medidaquecresceacorrente,maislacunassoinjetadasnaregioN,fazendocomqueeltronsvenhamdaregioN+paramanteraneutralidadedecarga.Destaforma,criaseumacargaespacialnocatodo,aqualterqueserremovida(ouserecombinar)parapermitirapassagemparaoestadobloqueadododiodo.

    Ocomportamentodinmicodeumdiododepotncia,naverdade,muitodiferentedodeumachaveideal,comosepodeobservarnafigura1.2.Suponhasequeseaplicaumatensoviaodiodo,alimentandoumacargaresistiva(cargasdiferentespoderoalteraralgunsaspectosdaformadeonda).

    Durantet1,removeseacargaacumuladanaregiodetransio.Comoaindanohouvesignificativainjeodeportadores,aresistnciadaregioNelevada,produzindoumpicodetenso.Indutnciasparasitasdocomponenteedasconexestambmcolaboramcomasobretenso.Durantet2temseachegadadosportadoreseareduodatensoparacercade1V.Estestemposso,tipicamente,daordemdecentenasdens.

    Nodesligamento,acargaespacialpresentenaregioNdeveserremovidaantesquesepossareiniciaraformaodabarreiradepotencialnajuno.Enquantohouverportadorestransitando,odiodosemantmemconduo.AreduoemVonsedevediminuiodaquedahmica.Quandoacorrenteatingeseupiconegativoquefoiretiradooexcessodeportadores,iniciandose,ento,obloqueiododiodo.Ataxadevariaodacorrente,associadasindutnciasdocircuito,provocaumasobretensonegativa.

    Diodosrpidospossuemtrrdaordemde,nomximo,poucosmicrosegundos,enquantonosdiodosnormaisdedezenasoucentenasdemicrosegundos.

    Oretornodacorrenteazero,apsobloqueio,devidosuaelevadaderivadaeaofatode,nestemomento,odiodojestardesligado,umafonteimportantedesobretensesproduzidasporindutnciasparasitasassociadasaoscomponentesporondecirculatalcorrente.Afimdeminimizarestefenmenoforamdesenvolvidososdiodos"softrecovery",nosquaisestavariaodecorrentesuavizada,reduzindoospicosdetensogerados.

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    Figura1.2.Estruturatpicadediododepotncia.e

    Formasdeondatpicasdecomutaodediododepotncia.

    1. DiodosSchottky

    Quandofeitaumajunoentreumterminalmetlicoeummaterialsemicondutor,ocontatotem,tipicamente,umcomportamentohmico,ouseja,aresistnciadocontatogovernaofluxodacorrente.Quandoestecontatofeitoentreummetaleumaregiosemicondutoracomdensidadededopanterelativamentebaixa,oefeitodominantedeixadeseroresistivo,passandoahavertambmumefeitoretificador.

    UmdiodoSchottkyformadocolocandoseumfilmemetlicoemcontatodiretocomumsemicondutor,comoindicadonafigura1.3.OmetalusualmentedepositadosobreummaterialtipoN,porcausadamaiormobilidadedosportadoresnestetipodematerial.Apartemetlicaseroanodoeosemicondutor,ocatodo.

    NumadeposiodeAl(3eltronsnaltimacamada),oseltronsdosemicondutortipoNmigraroparaometal,criandoumaregiodetransionajuno.

    Notesequeapenaseltrons(portadoresmajoritriosemambosmateriais)estoemtrnsito.Oseuchaveamentomuitomaisrpidodoqueodosdiodosbiplares,umavezquenoexistecargaespacialarmazenadanomaterialtipoN,sendonecessrioapenasrefazerabarreiradepotencial(tipicamentede0,3V).AregioNtemumadopagemrelativamentealta,afimdereduzirasperdadeconduo,comisso,amximatensosuportvelporestesdiodosdecercade100V.

    Aaplicaodestetipodediodosocorreprincipalmenteemfontesdebaixatenso,nasquaisasquedassobreosretificadoressosignificativas.

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    Figura1.3DiodoSchottkyconstrudoatravsdetcnicadeCIs.

    1. TransistorBipolardePotncia(TBP)

    1. Princpiodefuncionamento

    Afigura1.4mostraaestruturabsicadeumtransistorbipolar.

    Figura1.4.Estruturabsicadetransistorbipolar

    AoperaonormaldeumtransistorfeitacomajunoJ1(BE)diretamentepolarizada,ecomJ2(BC)reversamentepolarizada.

    NocasoNPN,oseltronssoatradosdoemissorpelopotencialpositivodabase.Estacamadacentralsuficientementefinaparaqueamaiorpartedosportadorestenhaenergiacinticasuficienteparaatravessla,chegandoregiodetransiodeJ2,sendo,ento,atradospelopotencialpositivodocoletor.

    OcontroledeVbedeterminaacorrentedebase,Ib,que,porsuavez,serelacionacomIcpeloganhodecorrentedodispositivo.

    Narealidade,aestruturainternadosTBPsdiferente.Parasuportartenseselevadas,existeumacamadaintermediriadocoletor,combaixadopagem,aqualdefineatensodebloqueiodocomponente.

    Afigura1.5.mostraumaestruturatpicadeumtransistorbipolardepotncia.Asbordasarredondadasdaregiodeemissorpermitemumahomogenizaodocampoeltrico,necessriamanutenodeligeiraspolarizaesreversasentrebaseeemissor.OTBPnosustentatensonosentidooposto

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    porqueaaltadopagemdoemissorprovocaarupturadeJ1embaixastenses(5a20V).

    Figura1.5.EstruturainternadeTPBeseusmbolo

    OusopreferencialdeTBPtipoNPNsedevesmenoresperdasemrelaoaosPNP,oqueocorreporcausadamaiormobilidadedoseltronsemrelaoslacunas,reduzindo,principalmente,ostemposdecomutaodocomponente.

    1. Limitesdetenso

    AtensoaplicadaaotransistorencontrasepraticamentetodasobreajunoJ2aqual,tipicamente,estreversamentepolarizada.Existemlimitessuportveisporestajuno,osquaisdependemprincipalmentedaformacomoocomandodebaseestoperando,conformesevnasfiguras1.6e1.7.

    Comotransistorconduzindo(Ib>0)eoperandonaregioativa,olimitedetensoVceVcesoqual,seatingido,levaodispositivoaumfenmenochamadodeprimeiraruptura.

    Oprocessodeprimeirarupturaocorrequando,aoseelevaratensoVce,provocaseumfenmenodeavalancheemJ2.Esteacontecimentonodanifica,necessariamente,odispositivo.Se,noentanto,acorrenteIcseconcentrarempequenasreas,osobreaquecimentoproduziraindamaisportadoresedestruirocomponente(segundaruptura).

    Comotransistordesligado(Ib=0)atensoqueprovocaarupturadajunoJ2maior,elevandoseaindamaisquandoacorrentedebasefornegativa.Istoumaindicaointeressanteque,paratransistoressubmetidosavaloreselevadosdetenso,oestadodesligadodeveseracompanhadodeumapolarizaonegativadabase.

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    Figura1.6.TiposdeconexodocircuitodebaseemximastensesVce.

    Figura1.7Caractersticaestticadetransistorbipolar.

    1. readeOperaoSegura(AOS)

    AAOSrepresentaaregiodoplanoVcexIcdentrodaqualoTBPpodeoperarsemsedanificar.Afigura1.8mostraumaformatpicadeAOS.

    Figura1.8.AspectotpicodeAOSdeTBP

    A:Mximacorrentecontnuadecoletor

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    B:Mximapotnciadissipvel(relacionadatemperaturanajuno)

    C:Limitedesegundaruptura

    D:MximatensoVce

    medidaqueacorrenteseapresentaempulsos(norepetitivos)areaseexpande.

    Parapulsosrepetitivosdeveseanalisarocomportamentotrmicodocomponenteparasesabersepossvelutilizlonumadadaaplicao,umavezqueaAOS,porserdefinidaparaumnicopulso,umarestriomaisbranda.Estaanlisetrmicafeitacombasenociclodetrabalhoaqueodispositivoestsujeito,aosvaloresdetensoecorrenteeimpednciatrmicadotransistor,aqualfornecidapelofabricante.

    1. Regiodequasesaturao

    Consideremosocircuitomostradonafigura1.9,eascurvasestticasdoTBPalindicadas.

    QuandoIccresce,Vcediminui,dadaamaiorquedadetensosobreR.medidaqueVcesereduz,caminhasenosentidodasaturao.

    OsTBPapresentamumaregiochamadadequasesaturaogerada,principalmente,pelapresenadacamadaNdocoletor.

    semelhanadacargaespacialarmazenadanosdiodos,nostransistoresbipolarestambmocorreestocagemdecarga.Afigura1.10mostraadistribuiodecargaestticanointeriordotransistorparaasdiferentesregiesdeoperao.

    Naregioativa,J2estreversamentepolarizadaeocorreumaacumulaodeeltronsnaregiodabase.Quandoseaproximadasaturao,J2ficadiretamentepolarizada,atraindolacunasdabaseparaocoletor.Taislacunasassociamseaeltronsvindosdoemissorequeestomigrandopelocomponente,criandoumacargaespacialquepenetraaregioN.Istorepresentaum"alargamento"daregiodabase,implicandonareduodoganhodotransistor.Talsituaocaracterizaachamadaquasesaturao.QuandoestadistribuiodecargaespacialocupatodaaregioNchegase,efetivamente,saturao.

    Figura1.9RegiodequasesaturaodoTBP.

    claroquenodesligamentotodaestacargaterqueserremovidaantesdoefetivobloqueiodoTBP,

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    oquesinalizaaimportnciadotimocircuitodeacionamentodebaseparaqueoTBPpossaoperarnumasituaoqueminimizeatempodedesligamentoeadissipaodepotncia(associadaaovalordeVce).

    Figura1.10DistribuiodacargaestticaacumuladanoTBP

    1. Ganhodecorrente

    OganhodecorrentedosTBPvariacomdiversosparmetros(Vce,Ic,temperatura),sendonecessrio,noprojeto,definiradequadamenteopontodeoperao.

    Embaixascorrentes,arecombinaodosportadoresemtrnsitolevaaumareduonoganho,enquantoparaaltascorrentestemseofenmenodaquasesaturaoreduzindooganho,comoexplicadoanteriormente.

    ParaumatensoVceelevada,alarguradaregiodetransiodeJ2quepenetranacamadadebasemaior,demodoareduziraespessuraefetivadabase,oquelevaaumaumentodoganho.

    Figura1.11ComportamentotpicodoganhodecorrenteemfunodatensoVce,datemperaturaedacorrentedecoletor.

    1. Caractersticasdechaveamento

    Ascaractersticasdechaveamentosoimportantespoisdefinemavelocidadedemudanadeestadoeaindadeterminamasperdasnodispositivorelativasscomutaes,quesodominantesnosconversoresdealtafreqncia.Definemsediversosintervalosconsiderandooperaocomcargaresistivaouindutiva.Osinaldebase,paraodesligamento,geralmente,negativo,afimdeacelerarobloqueiodoTBP.

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    a)Cargaresistiva

    Afigura1.12mostraformasdeondatpicasparaestetipodecarga.Ondice"r'serefereatemposdesubida(de10%a90%dosvaloresmximos),enquanto"f"relacionaseaostemposdedescida.Ondice"s"refereseaotempodearmazenamentoe"d"aotempodeatraso.

    td:tempodeatraso

    Correspondeatempodedescarregamentodacapacitnciadajunobe.Podeserreduzidopelousodeumamaiorcorrentedebasecomelevadodib/dt.

    tri:tempodecrescimentodacorrentedecoletor

    Esteintervaloserelacionacomavelocidadedeaumentodacargaestocadaedependedacorrentedebase.

    Comoacargaresistiva,umavariaodeIcprovocaumamudanaemVce.

    Figura1.12Caractersticatpicadechaveamentodecargaresistiva

    ts:tempodearmazenamento

    Intervalonecessriopararetirar(Ib

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    SejaIo>0econstanteduranteacomutao.Afigura1.13mostraformasdeondatpicascomestetipodecarga.

    b.1)Entradaemconduo

    ComoTBPcortado,Iocirculapelodiodo(=>Vce=Vcc).Apstd,Iccomeaacrescer,reduzindoId(poisIoconstante).QuandoIc=Io,odiododesligaeVcecomeaadiminuir.Almdisso,pelotransistorcirculaacorrentereversadodiodo.

    b.2)Bloqueio

    ComainversodatensoVbe(edeIb),iniciaseoprocessodedesligamentodoTBP.ApstsvcomeaacrescerVce.ParaqueodiodoconduzaprecisoqueVce>Vcc.Enquantoistonoocorre,Ic=Io.Comaentradaemconduododiodo,Icdiminui,medidaqueIdcresce(tfi).

    Almdestestemposdefinemseoutrosparacargaindutiva:

    tti:(tailtime):QuedadeIcde10%a2%

    tcoutxo:intervaloentre10%deVcee10%deIc

    Figura1.13.Formasdeondacomcargaindutiva

    1. Circuitosamaciadores(oudeajudacomutao)"snubber"

    OpapeldoscircuitosamaciadoresgarantiraoperaodoTBPdentrodaAOS,especialmenteduranteochaveamentodecargasindutivas.

    a)DesligamentoObjetivo:atrasarocrescimentodeVce(figura1.14)

    QuandoVcecomeaacrescer,ocapacitorCscomeaasecarregar(viaDs),desviandoparcialmenteacorrente,reduzindoIc.DfsconduzirquandoVce>Vcc.

    Quandootransistorligarocapacitorsedescarregarporele,comacorrentelimitadaporRs.AenergiaacumuladaemCsser,ento,dissipadasobreRs.

    Sejamasformasdeondamostradasnafigura1.15.ConsiderandoqueIccaialinearmenteequeIL

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    constante,acorrenteporCscrescelinearmente.FazendosecomqueCscompletesuacargaquandoIc=0,opicodepotnciasereduziramenosde1/4doseuvalorsemcircuitoamaciador(supondotrv=0)

    Figura1.14.CircuitoamaciadordedesligamentoetrajetriasnaAOS

    Figura1.15.Formasdeondanodesligamentesemecomocircuitoamaciador.

    OvalordeRsdevesertalquepermitatodaadescargadeCsduranteomnimotempoligadodoTBPe,poroutrolado,limiteopicodecorrenteemumvalorinferiormximacorrentedepicorepetitivadocomponente.DeveseusaromaiorRspossvel.

    b)Entradaemconduo:Objetivo:reduzirVceeatrasaroaumentodeIc(figura1.16)

    Nocircuitosemamaciador,apsodisparodoTBP,Iccresce,masVcessereduzquandoDfdeixardeconduzir.AcolocaodeLsprovocaumareduodeVce,almdereduzirataxadecrescimentodeIc.

    Normalmentenoseutilizaestetipodecircuito,considerandoqueostemposassociadosentradaem

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    conduosobemmenoresdoqueaquelesdedesligamento.Aprpriaindutnciaparasitadocircuitorealiza,parcialmente,opapelderetardarocrescimentodacorrenteediminuiratensoVce.Inevitavelmente,talindutnciairproduziralgumasobretensonomomentododesligamento,almderessoarcomascapacitnciasdocircuito.

    Figura1.16.Circuitoamaciadorparaentradaemconduo.

    1. ConexoDarlington

    ComooganhodosTBPrelativamentebaixo,usulmentesoutilizadasconexesDarlington(figura1.17),queapresentamcomoprincipaiscaractersticas:

    ganhodecorrente=1(+1)+

    T2nosatura,poissuajunoBCestsemprereversamentepolarizada

    tantoodisparoquantoodesligamentososequenciais.Nodisparo,T1ligaprimeiro,fornecendocorrentedebaseparaT2.Nodesligamento,T1devecomutarantes,interrompendoacorrentedebasedeT2.

    Figura1.17.ConexoDarlington.

    Ostempostotaisdependem,assim,deambostransistores,elevando,emprincpio,asperdasdechaveamento.

    Considerandoocasodeumatopologiaemponte(oumeiaponte),comomostradonafigura1.18,quandooconjuntosuperiorconduz,oinferiordeveestardesligado.Deveselembraraquiqueexistemcapacitnciasassociadassjunesdostransistores.

    QuandoopotencialdopontoAseeleva(pelaconduodeT2)ajunoBCteraumentadasualargura,produzindoumacorrenteaqual,seabasedeT3estiveraberta,circularpeloemissor,

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    transformandoseemcorrentedebasedeT4,oqualpoderconduzir,provocandoumcurtocircuito(momentneo)nafonte.

    Asoluoadotadacriarcaminhosalternativosparaestacorrente,pormeioderesistores,demodoqueT4noconduza.

    Almdestesresistores,usualainclusodeumdiodoreverso,deemissorparacoletor,parafacilitaroescoamentodascargasnoprocessodedesligamento.Almdisso,taldiodotemfundamentalimporncianoacionamentodecargasindutivas,umavezquefazafunododiododecirculao.

    Figura1.18ConexoDarlingtonnumcircuitoemponte.

    UsualmenteassociamseaostransistoresemconexoDarlington,outroscomponentes,cujopapelgarantirseubomdesempenhoemcondiesadversas,comosevnafigura1.18.

    Figura1.19.ConexoDarlingtoncomcomponentesauxiliares.

    1. Mtodosdereduodostemposdechaveamento

    Umpontobsicoutilizarumacorrentedebaseadequada:

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    Figura1.20FormadeondadecorrentedebaserecomendadaparaacionamentodeTBP.

    Astransiesdevemserrpidas,parareduzirostempodeatraso.UmvalorelevadoIb1permiteumareduodetri.Quandoemconduo,Ib2devetertalvalorquefaaoTBPoperarnaregiodequasesaturao.Nodesligamento,deveseproverumacorrentenegativa,acelerandoassimaretiradadosportadoresarmazenados.

    Paraoacionamentodeumtransistornico,podeseutilizarumarranjodediodosparaevitarasaturao,comomostradonafigura1.21.

    Nestearranjo,atensomnimanajunoBCzero.ExcessonacorrenteIbdesviadoporD1.D3permiteacirculaodecorrentenegativanabase.

    Figura1.21.Arranjodediodosparaevitarsaturao.

    1. MOSFET2. Princpiodefuncionamento(canalN)

    OterminaldegateisoladodosemicondutorporSiO2.AjunoPNdefineumdiodoentreSourceeDrain,oqualconduzquandoVds0.Afigura1.22mostraaestruturabsicadotransistor.

    QuandoumatensoVgs>0aplicada,opotencialpositivonogaterepeleaslacunasnaregioP,deixandoumacarganegativa,massemportadoreslivres.Quandoestatensoatingeumcertolimiar(Vth),eltronslivres(geradosprincipalmenteporefeitotrmico)presentesnaregioPsoatradoseformamumcanalNdentrodaregioP,peloqualtornasepossvelapassagemdecorrenteentreDeS.ElevandoVgs,maisportadoressoatrados,ampliandoocanal,reduzindosuaresistncia(Rds),permitindooaumentodeId.Estecomportamentocaracterizaachamada"regioresistiva".

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    Figura1.22.EstruturabsicadetransistorMOSFET.

    ApassagemdeIdpelocanalproduzumaquedadetensoquelevaaoseuafunilamento,ouseja,ocanalmaislargonafronteiracomaregioN+doquequandoseligaregioN.UmaumentodeIdlevaaumamaiorquedadetensonocanaleaummaiorafunilamento,oqueconduziriaaoseucolapsoeextinodacorrente!Obviamenteofenmenotendeaumpontodeequilbrio,noqualacorrenteIdsemantmconstanteparaqualquerVds,caracterizandoaregioativadoMOSFET.Afigura1.23mostraacaractersticaestticadoMOSFET,

    Umapequenacorrentedegatenecessriaapenasparacarregaredescarregarascapacitnciasdeentradadotransistor.Aresistnciadeentradadaordemde1012ohms.

    Estestransistores,emgeral,sodecanalNporapresentaremmenoresperdasemaiorvelocidadedecomutao,devidomaiormobilidadedoseltronsemrelaoslacunas.

    AmximatensoVdsdeterminadapelarupturadodiodoreverso.OsMOSFETsnoapresentamsegundarupturaumavezquearesistnciadocanalaumentacomocrescimentodeId.Estefatofacilitaaassociaoemparalelodestescomponentes.

    AtensoVgslimitadaaalgumasdezenasdevolts,porcausadacapacidadedeisolaodacamadadeSiO2.

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    Figura1.23.CaractersticaestticadoMOSFET.

    1. readeOperaoSegura

    Afigura1.24mostraaAOSdosMOSFET.ParatenseselevadaselamaisamplaqueparaumTBPequivalente,umavezquenoexisteofenmenodesegundaruptura.Parabaixastenses,entretanto,temsealimitaodaresistnciadeconduo.

    A:Mximacorrentededrenocontnua

    B:Limitedaregioderesistnciaconstante

    C:Mximapotncia(relacionadamximatemperaturadejuno)

    D:MximatensoVds

    Figura1.24.AOSparaMOSFET.

    1. Caractersticadechaveamentocargaindutiva

    a)Entradaemconduo(figura1.25)

    Aoseraplicadaatensodeacionamento(Vgg),acapacitnciadeentradacomeaasecarregar,comacorrentelimitadaporRg.Quandoseatingeatensolimiardeconduo(Vth),apstd,comeaacresceracorrentededreno.EnquantoId

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    Figura1.25FormasdeondanaentradaemconduodeMOSFETcomcargaindutiva.

    Osmanuaisforneceminformaessobreascapacitnciasoperacionaisdotransistor(Ciss,CosseCrss),mostradasnafigura1.26,asquaisserelacionamcomascapacitnciasdocomponentepor:

    Ciss=Cgs+Cgd,comCdscurtocircuitada

    Crs=Cgd

    Coss~Cds+Cgd

    Figura1.26.CapacitnciasdetransistorMOSFET

    b)Desligamento

    Oprocessodedesligamentosemelhanteaoapresentado,masnaordeminversa.OusodeumatensoVggnegativaapressaodesligamento,poisaceleraadescargadacapacitnciadeentrada.

    ComoosMOSFETsnoapresentamcargasestocadas,noexisteotempodearmazenamento,porisso

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    somuitomaisrpidosqueosTBP.

    1. IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)

    OIGBTaliaafacilidadedeacionamentodosMOSFETcomaspequenasperdasemconduodosTBP.Suavelocidadedechaveamentosemelhantedostransistoresbipolares.

    1. Princpiodefuncionamento

    AestruturadoIGBTsimilardoMOSFET,mascomainclusodeumacamadaP+queformaocoletordoIGBT,comosevnafigura1.27.

    EmtermossimplificadospodeseanalisaroIGBTcomoumMOSFETnoqualaregioNtemsuacondutividademoduladapelainjeodeportadoresminoritrios(lacunas),apartirdaregioP+,umavezqueJ1estdiretamentepolarizada.EstamaiorcondutividadeproduzumamenorquedadetensoemcomparaoaumMOSFETsimilar.

    OcontroledecomponenteanlogoaodoMOSFET,ouseja,pelaaplicaodeumapolarizaoentregateeemissor.TambmparaoIGBToacionamentofeitoportenso.

    AmximatensosuportveldeterminadapelajunoJ2(polarizaodireta)eporJ1(polarizaoreversa).ComoJ1divide2regiesmuitodopadas,concluisequeumIGBTnosuportatenseselevadasquandopolarizadoreversamente.

    OsIGBTsapresentamumtiristorparasita.Aconstruododispositivodevesertalqueeviteoacionamentodestetiristor,especialmentedevidoscapacitnciasassociadasregioP,aqualrelacionaseregiodogatedotiristorparasita.Osmodernoscomponentesnoapresentamproblemasrelativosaesteelementoindesejado.

    Figura1.27.EstruturabsicadeIGBT.

    1. Caractersticasdechaveamento

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    AentradaemconduosimilaraoMOSFET,sendoumpoucomaislentaaquedadatensoVce,umavezqueistodependedachegadadosportadoresvindosdaregioP+.

    Paraodesligamento,noentanto,taisportadoresdevemserretirados.NosTBPsistosedpeladrenagemdosportadoresviabase,oquenopossvelnosIGBTs,devidoaoacionamentoisolado.AsoluoencontradafoiainclusodeumacamadaN+,naqualataxaderecombinaobastantemaiselevadadoquenaregioN.Destaforma,aslacunaspresentesemN+recombinamsecommuitarapidez,fazendocomque,pordifuso,aslacunasexistentesnaregioNrefluam,apressandoaextinodacargaacumuladanaregioN,possibllitandoorestabelecimentodabarreiradepotencialeobloqueiodocomponente.

    1. AlgunsCritriosdeSeleo

    Umprimeirocritrioodoslimitesdetensoedecorrente.OsMOSFETpossuemumafaixamaisreduzidadevalores,ficando,tipicamenteentre:100V/200Ae1000V/20A.

    JosTBPeIGBTatingempotnciasmaiselevadas,indoat1200V/500A.

    ComooacionamentodoIGBTmuitomaisfcildoqueodoTBP,seuusotemsidocrescente,emdetrimentodosTBP.

    Outroimportantecritrioparaaseleoreferesesperdasdepotncianocomponente.Assim,aplicaesemaltafreqncia(acimade50kHz)devemserutilizadosMOSFETs.Emfreqnciasmaisbaixas,qualquerdos3componentespodemrespondersatisfatoriamente.

    Noentanto,asperdasemconduodosTBPsedosIGBTssosensivelmentemenoresqueasdosMOSFET.

    Comoregrabsica:emaltafreqncia:MOSFET

    embaixafreqncia:IGBT