UERJ – FEN – DETEL
Primeira prova de Eletrônica II - 2015/01 – Turmas 3 e 4 Data:
Nome:
1 – Determine as tensões V1, V2 e V3 para o circuito abaixo. Os transistores NMOS são
todos idênticos com Vt = 1V e k´nW/L = 2 mA/V2. Considere que l=0.
2 – O MOSFET do circuito abaixo possui Vt = 1V, kn = 0,4 mA/V2 e l = 0. Considere que RG = 10MW, RS = 100KW,RL = 20KW.
(a) Calcule ID e VS (considere l = 0)
(b) Calcule gm no ponto de polarização (considere l = 0)(c) Calcule o ganho de tensão(d) Se o MOSFET tem l = 0.01 V-1, determine ro no ponto de polarização e calcule o ganho de tensão.
3 – O MOSFET no circuito abaixo tem Vt = 0.8 V, l = 0, k´n = 50 mA/V2, W = 200mm e L = 4 mm. A resistência de porta é igual a 10 MW, a corrente de dreno é de 2 mA e tensão no dreno está equidistante da região de triodo e de corte (no meio da região de saturação).(a) Determine os valores das resistências RS e RD. (b) Quanto a tensão de dreno pode variar ainda mantendo o MOSFET na saturação?
Desejamos utilizar este circuito de polarização na configuração de dreno comum.(c) Redesenhe o circuito incluindo a fonte de tensão ac (despreze a resistência interna da fonte de sinal ac) e a resistência de carga RL. Inclua os capacitores de desacoplamento no seu desenho.(d) Determine a resistência de entrada (e) Determine a resistência de saída
+10V
V2 V31KW1KW
V1
vgs+
-
RD
RSRG
+15V
RSRG
+5V
RL
-15V
∞∞
4 – Um amplificador de fonte comum (sem RS) construído com um MOSFET tipo intensificação e com RD = 5 KW é alimentado por uma fonte de tensão alternada com resistência interna de 500 W. O circuito está sendo usado em conjunto com uma resistência de carga RL = 5kW.(a) Desenhe o modelo de circuito equivalente na aproximação de pequenos sinais para
esta configuração (Escolha o modelo que achar mais conveniente). Inclua RL no seu
desenho e considere que l = 0 e gm = 5 mA/V. (b) Determine a resistência de entrada do amplificador.(c) Determine a resistência de saída do amplificador.(d) Determine o ganho de tensão total (Gv).Se aumentarmos a corrente do circuito por um fator 4 (mantendo o transistor em operação linear), determine:(e) a nova transcondutância gm
(f) a resistência de entrada(g) a resistência de saída(h) o ganho de tensão total (Gv)
Formulário
A resolução pode ser feita a lápis, mas as respostas devem ser apresentadas a caneta.Coloque seu nome em todas as folhas de prova.É permitido o uso de calculadora científica.
Boa prova!
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