Controle de crescimento da estrutura dependente da síntese de nanofios via em película formação de

nanofios (OFF-ON)

Universidade Federal do Amazonas

Faculdade de Tecnologia

Bacharelado em Engenharia de Materiais

Acadêmico: Emerson Gama Professor: Dr. Lucas Berti

Manaus- Am

Março- 2013

Método de OFF-ON (Filme para formação do Nanofio)

FT - EngMat Emerson Gama

UFAMUniversidade Federal do Amazonas

Sistema de Pulverização Catódica (sputtering)

Taxa de Deposição

Recozimento (260 ~270 °C)

Colocando o filme de Bi sob tensão de compressão

Diferentes Coeficientes de expansão térmica

Crescimento Espontâneo dos Nanofios Devido o

Relaxamento da tensões compressivas

Resfriamento

Método de OFF-ON

FT - EngMat Emerson Gama

UFAMUniversidade Federal do Amazonas

1. Combinação da deposição de filmes finos e simples com formação nanofios altamente cristalinos.

2. Não há necessidade de usar catalisadores, evitando assim a contaminação

3. Ferramenta única e altamente desejável para o cultivo de nanofios livre de defeitos e composta de um material de interesse.

4. Ampliação do método para uma grande variedade de materiais e estruturas

Método de OFF-ONVantagens

Desvantagem

Para obter bom rendimento do nanofio precisa-se programar e combinar os parâmetros.

FT - EngMat Emerson Gama

UFAMUniversidade Federal do Amazonas Parâmetro e Limitações Taxa de Deposição

Área do Filme e distribuição da tensão no momento Alivio

Incompatibilidade de expansão térmica

2,7 Â / s 32,7 Â / s

Áreas dos filmes: (104 µm)2, (103 µm)2, (102 µm)2, e (10 µm)2

1. Bi (13,4 × 10-6 / ° C) 2. SiO2 (0,5 × 10-6 / ° C) 3. Si (2,4 × 10-6 / ° C)

FT - EngMat Emerson Gama

UFAMUniversidade Federal do Amazonas Referências Bibliográficas

Shim W, Ham J, Lee K, Jeung WY, Johnson M, Lee W: On-Film Formation of Bi Nanowires with Extraordinary Electron Mobility. Nano Lett 2009, 9(1):18.

Zhang ZB, Gekhtman D, Dresslhaus MS, Ying JY: Processing and characterization of single-crystalline ultrafine bismuth nanowires. Chem Mater 1999, 11:1659.