IV Jornadas Futuros Aceleradores Lineales Madrid 2-3 Diciembre09.
ACTIVIDADES DEL CNM EN FUTUROS ACELERADORES
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Juan Pablo Balbuena
Capacidades Tecnológicas del CNM orientadas a futuros aceleradores
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Juan Pablo Balbuena y Sergio Díez Instituto de Microelectrónica de Barcelona
Sala Blanca del CNM Superficie total de 1500 m². Estructura House in house. Clases de 100 a 10.000 dependiendo del área. Control de aire (T=21°±1° C, Humedad 40% ± 5%) Sistema de agua desionizada (18 MW.cm, 26
m³/día Distribudión de gas ultrapuro
Conductos pulidos eléctricamente de acero inoxidable 316 L.
Fuente de alimentación (25 kV y 3000 kVA.) Tratamiento de residuos. Sistema de seguridad:
Detectores de gas, protección frente a fuego e intrusos.
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Oxidacines seca y húmeda. Implantación iónica
B, P, As, N y Ar. Difusión Deposición química vaporizada
Si3N4, polisilicio, SiO2, BPSG Metalización
Al/Si, Al/Cu, Al/Cu/Si, TaSi, Ti, Ni, Au, Pt, Cr, Ag, -Si, y Ge.
Deposición de polimida Planarización mediante pulido
mecánico y químico (sep2007) Nanotechnología
AFM FIB SEM Nanoimpresión
Ataque seco y húmedo. Micromecanización de superficie y
sustrato de silicio. Soldadura anódica. Packaging
Soldadura pieza-pieza , soldadura por cable, Dispositivos de superficie en miniatura
Equipos de test in situ Elipsometría, interferometría,
perfilometría, medidas de 4 puntas Fotolitografía
De contacto/proximidad, chip a chip, por ambas caras
Limitada a obleas de 10cm
No es útil para gran producción, pero es importante para desarrollo tecnológico
TECNO TIPO CARACTERISTICAS APLICACION
CNM-25CMOS2.5 µm
2 poly - 2 metalAnalógico/
digital
CNMPOTENCIA
DMOSlateral &vertical
Doble difusiónDispositivos de
potencia
CNMµSISTEMAS
Sensores yactuadores
de Si
µmecanización de Si envolumen y superficie
Micro-sistemas
MCMSubstratos
de SiSubstratos activos y
flip-chipMódulosMultichip
Procesos
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Tecnología planar de detectores de radiación Desarrollo y caracterización de detectores de radiación
resistentes a la radiación en la SB de CNM Tecnología básica de detectores de rad en la SB del CNM. Detectores
de silicio tipo pad, P-sobre-N Técnica de oxigenación para la mejora de la resistencia a la
radiación. Detectores con diseños más avanzados (Strips) Tecnologías más complejas N-sobre-P (p-type), N-sobre-N Fabricación de detectores en el IMB-CNM para la Colaboración RD50
Aplicación a Middle Region S-LHC
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Igual grosor W2D>>W3D
Igual grosor W2D>>W3D
h+
e-
-ve +veSiO2
W3D
E
Bulk
h+
e-
+ve
E
p+
n
n+
W2D
+ve
Inconveniente: Proceso de fabricaión bastante largo y no standarizado => La producción en masa sería escasa y muy cara.
Detectores 3DPassivation
n+ doped
55um pitch
50-0um
300-250ump- type substrate
p+ doped
10um
Oxide0.4um1um
p+ doped
Metal
Poly 3um
OxideMetal
P-stop p+
50-0um TEOS 2um
5um
Corta distancia entre electrodos: Potencial de full depletion bajo Corta distancia de colección de carga
Mayor tolerancia a la radiación que los detectores planares
No hay colección de carga mezclada
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Aplicaciones
High resistiv itySem iconductor
Pixel readout
Electronics ch ip
X-ray photon
Passivation layer
Solder bum p
PN N
*Dear-Mama: A photon counting X-ray imaging project for medical applications, Nuclear Instruments and Methods A 569 (2006) 136–139
*
0,0 5,0x1015 1,0x1016 1,5x1016 2,0x10160
5000
10000
15000
20000
250000,0 3,2x1015 6,4x1015 9,6x1015
fluence(n/cm2) 10 yrs at SLHC
Sig
na
l (e
-)
fluence(p/cm2)
Strip p-type prot. irr. (Casse et al.) 3D detectors prot. irr. (DaVia et al.) Strip p-type neutr. irr. (Pellegrini et al.)
extrapolated
10 yrs at LHC
Resistencia a la radiación
Imagen médica
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Agujeros en Silicio
Reactive Ion Etching (RIE) Ejemplos hechos en el CNM Escala 25:1 Mínimo diámetro probado: 10 µm
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Tecnología de Bump bonding flip chip
Conexión eléctrica del chip al sustrato o chip a chip cara a cara (flip chip)
Uso de pequeños bumps metálicos (bump bonding)
Etapas del proceso: Acondicionar el metal de la zona Pad:
Under Bump Metallisation (UBM) Crecer el bump sobre uno o los dos
elementos a unir Dar la vuelta a los chips y alinear Recocido Opcionalmente se rellena con siliconas
CNM
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Electrodeposición de bump bonding Etapas del proceso
Sputtering de Ni/Au sobre toda la oblea
Fotolitografía para delimitar las zonas donde irán los bumps (thick photoresist)
Deposición electrolítica de la capa base y los bumps
Eliminar el photoresist Atacar el metal del
sputtering anterior Recocido para la formación
de las esferas Características
Pitch mínimo 40 µm Diámetro del bump30 - 75 µm Se hace sobre las obleas
CNM
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Detectores transparentes al IR Estrategia de alineamiento mediante haces laser para piestas de partículas, usando que los haces de lR se propagan a
través de algunos módulos de silicio. La propuesta es diseñar desde el principio detectores transparentes a la luz IR:
Sustituir los electrodos de Al (de los strips y la base) por electrodos transparentes as ITO (Indio dopado SnO2) o AZO (Al dopado ZnO)
Diseñar capas antirreflectanes apropiadas (ARC) unsando capas de microelectrónica standard (SiO2, Si3N4) Tener en cuenta todas las capas sensibles
Propuestas de I+D de IFCA y CNM CNM proporcionará muestras de difererentes capas y
grosores para caracterizacines eléctricas a las longitudes de onda deseadas.
Assess fabrication tolerances of the different layers. Evaluar las variaciones de los coeficientes ópticos en
SiO2 y Si3N4 posibles por la variación de las condiciones de deposición.
Optimización del perfil vertical de capas para maximizar %T con razonables %A.
Tener en cuenta las variaciones posibles en los procesos.
Fabricar muestras de prueba con juegos de máscaras. Soldar al dispositivo de electrónica de lectura. Tests ópticos y eléctricos.
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ESTUDIOS DE RESISTENCIA FRENTE A LA RADIACIÓN DE TECNOLOGÍAS MICROELECTRÓNICAS PARA LA ELECTRÓNICA DE LECTURA DEL SUPER-LHC
Caracterización de tecnologías microelectrónicas orientadas a futuros aceleradores
Sergio Díez
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S-LHC
2 retos tecnológicos para la electrónica Front-End:
Necesidad de encontrar una tecnología apropiada: Rápida y con elevada amplificación Bajo consumo Resistente a la radiación Bajo coste, disponibilidad
Alta ocupación Más interacciones Aumento de velocidad de procesado de
pulsos Mayor segmentación Más canales Potencia
Aumento nivel de radiación Eficiencia de colección de carga ↓ Señal ↓ Ganancia Degradación de la ganancia Corriente Potencia
Aumento de la luminosidad hasta 1035 cm-2 s-1
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Alternativa: tecnologías BiCMOS de SiGe
Inserción de SiGe en la base que mejora la inyección de electrones
Mejor y fT (fT ~ 200 GHz) que tecnologías bipolares convencionales
Utilizado en móviles, wireless
Prestaciones de consumo/velocidad demostradas
HBT de SiGe de altas prestaciones combinado con las mejores tecnologías CMOS
¿Resistentes a la radiación? Tres tecnologías de IHP estudiadas (0.25 μm):
SG25H1: Opción principal (β = 200, fT = 200 GHz)
SG25H3: Tecnología alternativa (β = 150, fT = 120 GHz)
SGB25VD: Opción de bajo coste (β = 190, fT = 30-80 GHz)
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ATLAS Upgrade: Región intermedia del detector interno (ID)
Fluencia máxima esperada: ~ 1015 cm-2
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Efectos de la radiación en tecnologías de SiGe
γ, partículas cargadas: IONIZACIÓN
Sin irradiar Irradiado
Cargas atrapadas en el óxido: Deformación zona de carga espacial IB ↓ β
Trampas en la interfase SiO2-Si: Captura portadores minoritarios IB ↓ β
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Efectos de la radiación en tecnologías de SiGe
Partículas masivas: DESPLAZAMIENTO
Colisiones con los átomos de la red cristalina de silicio a lo largo de todo el dispositivo, desplazándolos de su posición de equilibrio
Creación de vacantes, divacantes, intersticios, vacante-intersticio, complejos defecto-impureza, …
Aumento de la velocidad de recombinación de los portadores minoritarios
Aumento de IB ↓ β
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RESULTADOS DC Estudio de irradiaciones γ, neutrones y protones
Irradiaciones γ: Ionización
3 Dosis alcanzadas: 10, 50 y 100 Mrad(Si)
Valores por encima del 20 % en todos los casos (β~50)
Ganancia normalizada (βN=βf /β0) para VBE = 0.7 V
Mayor degradación para tecnología SG25H1
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RESULTADOS DC Estudio de irradiaciones γ, neutrones y protones
Irradiaciones de neutrones: Desplazamiento.
2 fluencias alcanzadas: 5x1014 y 1015 n/cm2
Degradación muy similar para ambas tecnologías
Valores por encima del 20 % en todos los casos
Ganancia normalizada (βN=βf /β0) para VBE = 0.7 V
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RESULTADOS DC Estudio de irradiaciones γ, neutrones y protones
Irradiaciones de protones: Ionización + desplazamiento.
1 fluencia alcanzada: 3.22x1015 p/cm2
Fluencia alcanzada demasiado elevada
Transistores muy degradados: no alcanzan el 10 % de la ganancia inicial
Ganancia normalizada (βN=βf /β0) para VBE = 0.7 V
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Consumo en potencia
IC (50): Corriente de colector necesaria para obtener valores de β = 50 tras las irradiaciones:
Gamma, neutrones: Corrientes ~ μA: Valores aceptables en términos de consumo en potencia de los dispositivos
Protones: Corrientes > 10-4 A: Valor excesivo en términos de consumo en potencia de los dispositivos
Dosis/Fluencia SG25H1 SG25H3 SGB25VD10 Mrads(Si) 2.52E-06 3.16E-07 8.24E-0750 Mrads(Si) 1.71E-06 1.40E-06 1.71E-06100 Mrad(Si) 1.51E-06 1.66E-06 2.27E-065e14 n/cm2 1.51E-06 1.01E-05 -1e15 ncm2 3.31E-06 1.25E-05 -
PROTONES 3.22e15 p/cm2 3.24E-05 2.05E-04 6.68E-04
Ic(50) (A)
GAMMA
NEUTRONES
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Conclusiones
Se ha estudiado la resistencia frente a la radiación bajo irradiaciones γ, n y p de tres tecnologías BiCMOS de SiGe
Las tres tecnologías sobrevivirían con valores de ganancia aceptables (β ~ 50) durante todo el tiempo de vida del experimento S-LHC
Las tecnologías muestran valores aceptables en términos de consumo en potencia de sus dispositivos tras las irradiaciones
Diferencias poco significativas observadas entre ellas en su comportamiento frente a la radiación
Las muestras irradiadas con protones muestran una degradación excesiva, asociada a una elección de fluencia de radiación demasiado elevada