Microeletronica - Lista de exercícios resolvido

8/3/2019 Microeletronica - Lista de exerccios resolvido

1/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

1

Instituto Federal de Educao Cincia e Tecnologia da Paraba

Curso: Engenharia Eltrica

Disciplina: Introduo Microeletrnica

Professor: Sabiniano Arajo Rodrigues

Alunos: Alison Lins de Lima Matrcula: 20071610230

Marieliton Mendes Barbosa Matrcula: 20071610043

Pedro Vincius Ferreira Silva Menezes Matrcula: 20071610124

Raissa Tavares Vieira Matrcula: 20071610060

- Resoluo da Lista de Exerccios -

1)

Ambos operando como resistores fornecero uma queda de tenso, e a corrente Ids

a mesma, logo, dois resistores em srie so equivalentes a um resistor resultante da soma dos

resistores.

L = comprimento do canal

W= largura do canal

Em srie a relao de:

2) A regio de depleo criada ainda tem portadores livres, essa regio ainda movimenta as

cargas do canal para o dreno.

Essa regio representa uma juno PN polarizada

reversamente existem cargas apesar de em

quantidade muito pequena, do lado P e do lado N.

3)

4)


2/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

2

a)

b)

5)

0 1 2 3 L x


3/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

3

0


4/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

4

6) No possvel determinar individualmente as duas grandezas

7)

)

)

8)

9)

10)

400

No possvel pois, para um mesmo transistor no se pode ter duas relaes W/L diferentes.

11)

12)


5/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

5

13)

14) a)

b)

15)

16) Porque

17)

18)


6/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

6

19) a) desligado

b) saturao

c) triodo profundo

d) triodo

e) triodo

f) desligado

g) saturado

h) saturado

i) saturado

20) a) desligado

b) desligado

c) triodo profundo

d) saturado

21)

22)

23) A capacitncia entre a porta e o substrato diminui. Ento, com Q=CV, uma dada

tenso resulta em menos cargas na porta e por isso, uma menor densidade de eltrons

no canal.


7/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

7

24)

25)

26)

27)


8/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

8

28) a)

b)

c)

d)


9/17

Engenh

aria

Eltrica

IFPB

9

29)

31) a)

b)

c)

32) a)


10/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

0

b)

c)

d)

33) a)

b)

c)

d)


11/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

1

e)

34)

35) a)

b)


12/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

2

36)

37)

38) a)

b)


13/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

3

c)

d)

e)


14/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

4

39) a) desligado

b) desligadoc) saturao

d) desligado

40) a) saturao

b) triodo

c) borda de triodo

d) triodo

41)

42)

44) a)


15/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

5

b)

c)

d)

45)a)


16/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

6

b)

c)

d)


17/17

Engenharia

Eltrica

IFPB

1

7

e)

46)a)

Esto em paralelo pois, no modelo de pequeno sinal a dir=ferena de potencial

a mesma.

b)

No semiciclo positivo

No semiciclo negativo

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