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orte opagem

Fraca Dopagem

Mdia Do a em

Com os diferentes nveis de dopagem de cada

cristal, as camadas de depleo tm larguras diferentes.

Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Elapenetra pouco na regio do emissor, bastante na base e

mdio na regio do coletor.

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A bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e

a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os

eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se

na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente

eltrica alto nas duas junes

Os diodos emissor e coletor ficam reversamente

polarizado. A corrente eltrica circulando pequena

(corrente de fuga).

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o o co e or es reversamen e po ar za o e o

diodo emissordiretamente polarizado. A princpio espera-

se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta

corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece,

nos dois diodos as correntes so altas.

Se a tenso entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V,

muitos eltrons do emissor penetram na regio da base;

Os eltrons que a partir da base retornam a bateria VBE sochamados de corrente de recombinao. Ela pequena

porque a base pouco dopada;

,

base passam a juno base-coletor;

Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem

dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para

o coletor, mas no dos eltrons livres.

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Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo

penetrando na regio de coletor. L os eltrons livres so

atrados para o plo positivo da bateria VCB;

Re su m ind o, c o m a p olar iza o d ir e ta d o d io doemissor, in je tado uma a l t a cor ren te em d i reo

.c or r ent e , po r r ec om bi na o, r et o r na ao p l onegat ivo da bater ia VBE e o res tan te da c or ren tef lu i pa ra o co le to r e da pa ra o p lo pos i t i vo dabateria VCB.

Dependendo da condio de polarizao (direta ou

reversa) de cada uma das junes, so obtidos diferentes

modos de operao do transistor bipolar, conforme tabela

abaixo:

Modo Juno

Emissor/Base

Juno

Coletor/Base

Aplicaes

Eletrnica di ital

Automao

Ativo Direta Reversa Amplificadores

Saturao Direta Direta Eletrnica digitalAutomao

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IBICIE += Lei deKirchhoff

Muitas vezes o Beta (

CC

CCCC

1

=

IECC =

IB

ICCC =

ar me roALFA

Parmetro

BETA

Muitas vezes o

BETA chamado

de parmetro hFE

para o ganho da

corrente CC.

Se medirmos uma corrente do coletor de 5 mA e uma

corrente da base de 0,05 mA, determinar o BETA do

transistor.

EXEMPLO 1 (Soluo: LOUSA)

, .

transistores tm um BETA DE 1000

da ordem de 1000.

A folha de dados de um 2N3904 d um valor mnimo

de hFE de 100 e um hFE mximo de 300. Isto quer dizer que

OBSERVAO

.

Supondo um transistor com ALFA = 0,98, determinar

o parmetro hFE.

EXEMPLO 2 (Soluo: LOUSA)

BC 548

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Na Figura abaixo, o lado negativo de cada fonte detenso est conectado ao emissor. Neste caso denomina-

se o circuito como montado em EMISSOR COMUM.

VS = IB.RS + VBE

VCC = IC.RC + VCE

Lei de K i rchhof f

Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para

todos os IB existe uma tenso VBE correspondente.

Naturalmente, esta curva semelhante curva do diodo.

Juno PN

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A partir de VCC e VS possvel obter diversosvalores de IC e VCE. A Figura mostra esta relao supondo

um IB fixo.

Regio de Corte

Regio de

Saturao

Regio Ativa

O grfico da Figura abaixo mostra curva IC x VCE

para vrios IBs. Habitualmente o grfico fornecido pelo

fabricante leva em considerao diversos IBs.

Determinar o Beta desse transistor.

EXEMPLO 3 (Soluo: LOUSA)

BC 548